恒电流应力引起HfO_2栅介质薄膜的击穿特性

利用磁控溅射的方法在 p- Si上制备了高 k(高介电常数 )栅介质 Hf O2薄膜的 MOS电容 ,对薄栅氧化层电容的软击穿和硬击穿特性进行了实验研究 .利用在栅极加恒电流应力的方法研究了不同面积 Hf O2 薄栅介质的击穿特性以及击穿对栅介质的 I- V特性和 C- V特性的影响 .实验结果表明薄栅介质的击穿过程中有很明显的软击穿现象发生 ,与栅氧化层面积有很大的关系 ,面积大的电容比较容易发生击穿 .分析比较了软击穿和硬击穿的区别 。