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气相沉积硅薄膜微结构及悬挂键缺陷研究
被引量:
5
1
作者
黄香平
肖金泉
+4 位作者
邓宏贵
杜昊
闻火
黄荣芳
闻立时
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第2期178-182,共5页
在单晶Si(100)基体上利用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积法制备硅薄膜,并采用X射线衍射谱(XRD)、透射电镜(TEM)、Raman光谱、电子自旋共振(ESR)波谱等实验方法研究了不同Ar流量下硅薄膜微结构及悬挂键密度的变化。XRD及...
在单晶Si(100)基体上利用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积法制备硅薄膜,并采用X射线衍射谱(XRD)、透射电镜(TEM)、Raman光谱、电子自旋共振(ESR)波谱等实验方法研究了不同Ar流量下硅薄膜微结构及悬挂键密度的变化。XRD及TEM实验结果得出,制备的硅薄膜的晶粒尺寸为12~16 nm,属纳晶硅薄膜。薄膜结晶度随镀膜时Ar流量增大而增大,而悬挂键密度则先迅速减小而后缓慢增大。当Ar流量为70 ml/min(标准状态)时,薄膜的悬挂键密度达到最低值4.42×1016cm-3。得出最佳Ar流量值为70 ml/min。
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关键词
纳晶硅
悬挂键密度
电子自旋共振
RAMAN光谱
下载PDF
职称材料
半导体技术
2
《中国无线电电子学文摘》
1997年第3期60-67,共8页
关键词
半导体技术
磷掺杂
半导体致冷
悬挂键密度
应用前景
固相效率
基本结构
带尾态
大学学报
光声光谱
原文传递
题名
气相沉积硅薄膜微结构及悬挂键缺陷研究
被引量:
5
1
作者
黄香平
肖金泉
邓宏贵
杜昊
闻火
黄荣芳
闻立时
机构
中南大学物理科学与技术学院
中国科学院金属研究所
武汉华硅太阳能科技有限责任公司
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第2期178-182,共5页
基金
国家自然科学基金委工程与材料学部青年基金(KFJJ200902)
电子薄膜与集成器件国家重点实室开放课题
文摘
在单晶Si(100)基体上利用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积法制备硅薄膜,并采用X射线衍射谱(XRD)、透射电镜(TEM)、Raman光谱、电子自旋共振(ESR)波谱等实验方法研究了不同Ar流量下硅薄膜微结构及悬挂键密度的变化。XRD及TEM实验结果得出,制备的硅薄膜的晶粒尺寸为12~16 nm,属纳晶硅薄膜。薄膜结晶度随镀膜时Ar流量增大而增大,而悬挂键密度则先迅速减小而后缓慢增大。当Ar流量为70 ml/min(标准状态)时,薄膜的悬挂键密度达到最低值4.42×1016cm-3。得出最佳Ar流量值为70 ml/min。
关键词
纳晶硅
悬挂键密度
电子自旋共振
RAMAN光谱
Keywords
nc-Si
Dangling-bond density
ESR
Raman spectrum
分类号
O474 [理学—半导体物理]
O766 [理学—晶体学]
下载PDF
职称材料
题名
半导体技术
2
出处
《中国无线电电子学文摘》
1997年第3期60-67,共8页
关键词
半导体技术
磷掺杂
半导体致冷
悬挂键密度
应用前景
固相效率
基本结构
带尾态
大学学报
光声光谱
分类号
TN [电子电信]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
气相沉积硅薄膜微结构及悬挂键缺陷研究
黄香平
肖金泉
邓宏贵
杜昊
闻火
黄荣芳
闻立时
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
5
下载PDF
职称材料
2
半导体技术
《中国无线电电子学文摘》
1997
0
原文传递
已选择
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参考文献
引证文献
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