悬浮栅结构ISFET动态特性的HSPICE仿真

通过对ISFET敏感机理的理论分析,根据表面基模型,建立了悬浮栅结构ISFET器件的HSPICE动态行为模型,对ISFET器件的动态特性进行仿真得到时间响应曲线,并探讨了薄膜等效电阻、薄膜等效电容、互连线寄生电容和寄生电阻等因素与动态特性中延迟时间和迟滞等不理想因素的关系,为ISFET/REFET差分结构集成传感器芯片设计提供理论指导。

铟镓锌氧薄膜晶体管的悬浮栅效应研究

为了避免光照对铟镓锌氧薄膜晶体管(InGaZnO thin film transistors,IGZO TFTs)电学特性的影响,IGZO TFT要增加遮光金属层.本文研究了遮光金属栅极悬浮时,IGZO TFT的输出特性.采用器件数值计算工具TCAD(technology computer-aided design)分析了IGZO层与栅介质层界面处电势分布,证实了悬浮栅(floating gate,FG)IGZO TFT输出曲线的不饱和现象是由悬浮栅与TFT漏端的电容耦合造成.基于等效电容的电压分配方法,提出了悬浮栅IGZO TFT电流的一阶模型.TCAD数值分析及一阶物理模型结果与测试具有较高程度的符合,较完整地解释了悬浮栅IGZO TFT的电学特性.

HSGFET型臭氧传感器室温下对纳诺量级O_3的检测

本文介绍了双敏感膜、复合悬浮栅 ( Hybrid Suspended Gate即 HSG) FET型臭氧传感器的结构与制作 .重点研究了敏感膜和结构不同的传感器对 O3敏感性的影响 。

室温工作双敏感膜HSGFET型O_3传感器的研究

本文研究室温下工作 ,具有双敏感膜 ,检测ppb范围内O3 浓度的复合悬浮栅FET(HybridSuspendedGateFieldEffectTransistor即HSGFET)型臭氧传感器 .文中给出了四种固态HSGFET型臭氧传感器的实验结果 ,发现具有 [KI/A/LaF3]结构的传感器对O3有很好的响应特性 ;实验结果与由开尔芬 (Kelvin)探针得到的结果进行了比较 .

基于标准CMOS工艺的新型pH值传感器

基于0.6μmCMOS工艺设计了一种新型的pH值传感器。多晶硅和双层金属电极形成复合的悬浮栅结构,Si3N4钝化层作为敏感层。传感单元为W/L=500μm/20μm的PMOS管,其阈值电压随溶液pH值线性变化,并通过恒定PMOS管源漏电压和源漏电流控制电路转换成PMOS管源电压线性输出。PMOS管源电压线性输出范围达到4.6V,很好满足在不同pH值溶液中测试的要求。采用波长396nm紫外灯管照射来消除浮栅上电荷,增大阈值电压并有效调整溶液栅电压线性区工作范围。紫外照射后溶液栅电压可偏置在0V,减少溶液中噪声影响。CMOSpH值传感器的平均灵敏度为35.8mV/pH。

一位微处理机及其应用(四)

存贮器的主要功能是存放二进制数,由许多记忆单元(存贮单元)构成.一个单元只能放一位数.存贮器可进行“写”与“读”操作,数据存入单元称“写”,从单元取出数据称“读”.每一个存贮单元(或并行的几个存贮单元)都有一个二进制代码来表明其在存贮器中的位置,以便于有目的地“写入”或“读出”,该代码即为存贮单元的地址.

内嵌InAs量子点的场效应晶体管特性研究

研究了内嵌InAs量子点的异质结场效应晶体管在室温和低温下的电学特性,获得了量子点影响下器件的输出特性曲线。在室温下,通过分别测试在近红外光照和量子点充电条件下器件的Ⅰ-Ⅴ特性,证明了量子点通过类似纳米悬浮栅的作用,对邻近沟道的二维电子气施加影响。在低温下观察到器件漏电流出现负微分电导现象。这一现象可由2DEG和量子点之间的共振隧穿来解释。这些结果提供了一种新的操作传统场效应晶体管的方法,并有望制成新型量子点存储器。