叠层芯片温度测量实验研究

使用MP/MB红外测温仪对加热台及叠层芯片的结构表面进行测试,对所获得的温度数据进行分析建模。实验发现叠层芯片结构表面悬臂区域和非悬臂区域的温度存在差异,并讨论了其原因。进一步对不同区域的温度曲线进行拟合,发现修改的Logistic模型可以很好地用于叠层芯片结构测温数据的建模和阐释其温升机制缘由。实验结果有助于叠层芯片悬臂键合动力学机理的研究。

叠层芯片温度测量实验研究

实验使用MP／MB红外测温仪对加热台及叠层芯片的结构表面进行测试，对所获得的温度数据用Matlab软件进行处理分析。红外测温仪最小测量目标为Ф0．6mm，单层芯片尺寸为4mmx2mm×0．24mm（长×宽×高）。实验得到键合温度为200℃时加热台不同位置的温度上升变化曲线以及叠层芯片结构表面悬臂区域和非悬臂区域的温度上升变化曲线。通过不同区域温度变化曲线的函数拟合，发现指数函数可以很好地描述叠层芯片上层表面温度的变化。这些实验结果对深入研究键合机理有参考意义。