电感耦合等离子体原子发射光谱法测定工业硅中8种杂质元素

采用电感耦合等离子体原子发射光谱仪的耐氢氟酸惰性进样系统,在样品用氢氟酸、硝酸、高氯酸溶解完全后无需赶尽氢氟酸和硅基体,直接进样,电感耦合等离子体原子发射光谱法同时测定了工业硅粉中铁、铝、钙、钛、锰、镍、硼和磷8种杂质元素。因为在溶样过程中大部分基体硅已挥发除去,基体效应对铁、铝、钙、钛、锰、镍的测定没有影响,但是对硼和磷的测定仍有影响,这种影响可以采用垂直观测方式克服。按照空白值的3倍标准偏差计算方法的检测限,得到铁、铝、钙、钛、锰、镍、硼和磷的检测限(w/%)分别为0.004,0.001,0.004,0.001,0.000 1,0.000 1,0.000 04和0.000 06。方法已用于工业硅中上述8种杂质元素的测定,测定值与标准方法(GB/T 14849.4—2008)的测定值或认定值相符。

ICP-MS法快速测定多晶硅表面八种金属杂质含量

使用硝酸、氢氟酸、过氧化氢和水的混合溶液浸取多晶硅表面金属杂质,无需赶尽氢氟酸,采用配备耐氢氟酸惰性进样系统的ICP-MS直接测定多晶硅产品中钠、铝、钾、铁、铬、镍、铜和锌8种表面金属杂质含量,结果表明该方法具有简便、快速、准确等特点,加标回收率为84.0%~110.6%,相对标准偏差(RSD)为3.79%~11.96%,检出限为0.003 ng/g^0.018 ng/g。