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MOS结构中的两类慢界面态
1
作者
高文钰
严荣良
大西一功
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第8期607-610,共4页
通过测量高频C-V迟滞曲线研究了MOS电容中慢界面态的特性.发现金属化后退火(PMA)前电容中的慢界面态分布在禁带中央以下的能级,但PMA后完全消失;相反,FowlerNordheim高电场应力引起的慢界面态能级高于...
通过测量高频C-V迟滞曲线研究了MOS电容中慢界面态的特性.发现金属化后退火(PMA)前电容中的慢界面态分布在禁带中央以下的能级,但PMA后完全消失;相反,FowlerNordheim高电场应力引起的慢界面态能级高于禁带中央.并探讨了这些慢态的微观机理.
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关键词
MOS结构
慢界面态
微观机理
MOS器件
下载PDF
职称材料
题名
MOS结构中的两类慢界面态
1
作者
高文钰
严荣良
大西一功
机构
中国科学院新疆物理研究所
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第8期607-610,共4页
文摘
通过测量高频C-V迟滞曲线研究了MOS电容中慢界面态的特性.发现金属化后退火(PMA)前电容中的慢界面态分布在禁带中央以下的能级,但PMA后完全消失;相反,FowlerNordheim高电场应力引起的慢界面态能级高于禁带中央.并探讨了这些慢态的微观机理.
关键词
MOS结构
慢界面态
微观机理
MOS器件
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
MOS结构中的两类慢界面态
高文钰
严荣良
大西一功
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996
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