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Ga_xIn_(1-X)P外延膜中成份调制对光致发光的影响
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作者 梁家昌 《河北大学学报(自然科学版)》 CAS 1994年第4期7-,1-6,共7页
通过用一高分辨、微机控制的三晶体x-射线衍射仪来测量Ga_xIn_(1-x)P外延膜中(11)与()衍射峰的积分强度差,定量地确定了有序度。讨论Ga_xIn_(1-x)P外延膜中有序度与成份调制间的关系。考察了成份调... 通过用一高分辨、微机控制的三晶体x-射线衍射仪来测量Ga_xIn_(1-x)P外延膜中(11)与()衍射峰的积分强度差,定量地确定了有序度。讨论Ga_xIn_(1-x)P外延膜中有序度与成份调制间的关系。考察了成份调制与施主-受主对复会发光能量间的关联。通过计及施主一受主对在由成份调制所导致的超格子势场中的附加能量,导出了施主一受主对在部分有序相中跃迁时新的能量方程。 展开更多
关键词 Ga_xIn_(1-x)P外延膜 成份调制 有序度 施主一受主对的能量方程
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非晶态FeBSi/Si成份调制膜的磁性质和内转换电子Massbauer谱
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作者 梅良模 李卫东 +1 位作者 毕耜云 刘宜华 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1991年第2期303-309,共7页
采用高频溅射法成功地制成了非晶态FeBSi/Si成分调制膜,随Si层厚度增加,调制膜的饱和磁化强度成指数下降,这是死层效应引起的,Mossbauer谱测量表明,死层是由于界面处Fe和Si原子的互扩散而形成的顺磁性相,在非晶态FeBSi/Si成分调制膜中... 采用高频溅射法成功地制成了非晶态FeBSi/Si成分调制膜,随Si层厚度增加,调制膜的饱和磁化强度成指数下降,这是死层效应引起的,Mossbauer谱测量表明,死层是由于界面处Fe和Si原子的互扩散而形成的顺磁性相,在非晶态FeBSi/Si成分调制膜中发现存在尺寸效应,它只与FeBSi层的厚度有关,而死层效应既与FeBSi层厚度有关,也与Si层厚度有关。 展开更多
关键词 非晶 成份调制 磁性 穆斯堡尔谱
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