基于CMOS成像器件的手指静脉图像采集方法及装置

通过对CMOS成像器件的应用特性和控制方法的研究,提出了一整套基于CMOS成像器件的手指静脉图像采集方法及装置,包括光源、成像器件、控制电路和装置结构。采用美国OV公司的OV7411P作为CMOS成像器件,并通过I2C总线方式控制CMOS成像器件的参数;光源采用LED近红外发光管,其光源亮度调节采用恒压调节方式,并由中央控制器通过I2C总线发出指令。实验结果表明,采用该方法成像速度快、质量高、控制灵活、成本低,是一个可行的手指静脉图像采集方案。

防离子反馈Al_2O_3膜对三代夜视成像器件性能的影响

为解决三代微光管寿命问题,采用电子显微镜和质谱仪对微通道板输入面溅射蒸镀的Al2O3膜质量进行了分析,研究了膜层对器件性能的影响,并就Al2O3给三代微光夜视成像器件带来的成像质量问题进行了讨论。研究结果表明:尽管Al2O3薄膜可以有效地防止离子反馈,但给管子成像质量带来了严重影响,使得图像模糊,信噪比降低等。提出了从本质上解决器件寿命问题的有效措施是将光电阴极与显示屏进行真空隔离,以实现光电阴极无离子反馈的轰击。

基于Zn_2SiO_4:Mn的成像器件紫外增强薄膜制备及表征

在CCD、CMOS等硅基光电成像器件的光敏面镀下变频薄膜将紫外波段的光变为可见波段的光,可实现CCD、CMOS等硅基光电成像器件的紫外响应。考虑Zn2SiO4∶Mn粒子直径小,稳定性好,荧光量子效率高等优点,本文用"旋涂法"在石英基底上生成Zn2SiO4∶Mn紫外增强薄膜,并对其透射光谱、吸收光谱、激发光谱与发射光谱等光学性质进行分析。实验测得薄膜在300 nm以下透过率极低并具有很强的吸收,在300 nm以上透过率很高且吸收很弱;激发峰在260 nm,发射峰在525 nm,可以实现将紫外光转化为可见光。分析了Zn2SiO4∶Mn薄膜的均匀性、厚度、稳定性等物理性质对其变频性能的影响。实验结果表明,利用Zn2SiO4∶Mn薄膜可以有效增强CCD等光电器件的紫外响应,实现光电器件的紫外探测。

近贴聚焦成像器件光电阴极传递封接工艺研究

依据近贴聚焦系列成像器件研究的需要,开展了光电阴极真空传递封接工艺研究,并且结合器件的研制对封接工艺质量进行了可靠性的考核。结果证明,用InSn合金焊料进行光电阴极真空传递封接,其工艺稳定,性能质量可靠,封接气密性成品率高。这种工艺除了用于成像器件的研究和生产外,也可用于非匹配材料的气密性封接,具有广泛的应用前景。

二代微光成像器件阴极材料放气成份分析

用四极质谱计对光电阴极碱源材料放气成份进行质谱分析 ,给出了分析结果 ,并对所放出有害气体给制备光电阴极带来的影响进行了讨论。

CCD成像器件用P型外延材料的工艺研究

CCD成像器件作为大面阵高集成度器件,对外延材料的均匀性,特别是P型材料的电阻率均匀性,提出更高要求。本文主要介绍了CCD成像器件用硅外延片的一种实用生产工艺,利用PE-3061D平板式外延炉在6英寸、<100>晶向、电阻率小于0.02Ω·cm的重掺B硅衬底上化学气相沉积(CVD)所需硅外延层。通过C-V测试方法对外延材料的电阻率均匀性进行测试分析,通过变流量吹扫和提高赶气温度的工艺方法显著提高外延材料的均匀性,最终得到满足CCD成像器件设计要求的P/P+结构硅外延片。

质谱分析与检测技术在成像器件研究中的应用

运用四极质谱计对微光成像器件的制管工艺质量进行大量质谱分析监测，分清了各道工序污染对制管的影响。使制管工艺得到改进，使制管成品率提高了50％。

虚拟红外成像器件的模拟输出电路设计

虚拟红外成像器件是能输出红外图像数据源的器件,在调试图像采集系统的硬件和软件时能替代非制冷红外焦平面阵列。虚拟成像器件的输出具有很好的线性度和精度,可作为图像采集电路的标定器件。文设计了虚拟红外成像器件的模拟输出电路,根据UL03 40 1性能参数,设计了信号调理电路,通过在FPGA上使用ROM中查表方式校正模拟端口输出误差,在实际应用中表现了良好的精确性。

质谱分析与检漏技术在成像器件研究中的应用

运用四极质谱计对微光成像器件的制管工艺质量进行大量质谱分析监测,分清了各道工序污染对制管的影响。通过对制管工艺进行改进,使制管成品率提高了50%。

CCD类成像器件的噪声研究

CCD图像传感器的输出信号是空间采样的离散模拟信号,其中夹杂着各种噪声和干扰。对CCD信号进行处理的目的就是在不损失图像细节的前提下,尽可能地消除噪声和干扰,以提高信噪比,获取高质量的图像。为此,必须对CCD的噪声种类和特性有所了解,并针对各种噪声进行相应的去噪处理。所以对CCD成像器件噪声部分的研究,有利于提高CCD成像器件的分辨率,也能提高探测微弱光的能力。

紫外成像器件光电阴极封接焊料熔层缺陷对气密性的影响

为解决紫外成像器件光电阴极与管体封接漏气问题,对管体InSn合金熔化过程中出现的质量问题进行了深入分析,找出焊料熔层缺陷主要来源于对焊料除气不彻底和基底表面氧化及设备油污染。通过优化工艺参数,改进工艺质量和把化铟设备管体搁置焊料熔化改为浇铸熔化,使管体焊料熔化合格率达到了100%,光电阴极与管体封接气密性成品率达到98%。

HgCdTe-IRFPA成像器件光谱响应率标定方法比较与误差分析

红外焦平面成像器件的光谱响应率是天基红外遥感的基本物理指标。为了准确应用该项参数去除器件在制造工艺中的不均匀性对产品质量的影响,必须在系统使用之前对其重新标定,获取真实值。总结了目前较为普遍的IRPFA产品光谱响应率标定方法,通过比较选择标准代替法对产品进行标定。根据所得到测量数据,分析了其可能存在的误差,总结了在对IRPFA产品进行标定时应注意的问题。同时提出了一种调整积分时间的方法,以弥补有些波段标定黑体辐射功率过低带来误差过大的缺陷。

近贴聚焦成像器件管体熔铟层气孔产生的因素分析

为解决成像器件管体熔铟层产生流散不均匀、熔层断裂、体内气泡造成的光电阴极与管体封接漏气问题,深入分析了产生根源,研究了一种管体注铟技术,使管体注铟合格率达到了100%,光电阴极与管体封接气密性成品率达到了98%。

光子计数成像器件

论述了光子计数成像器件的基本原理，对多阳极微通道板阵列器件、叠合阳极、楔条形阳极和Si位敏阳极结构的光子计数成像器件分别作了介绍，给出了GDB-601型MCP－PMT的一些实验结果。

站在最前沿观新一代成像器件

本文主要概述索尼四色CCD;富士—第四代超级CCD;尼康—LBCAST;佳能降噪的CMOS成像器;FoveonX3CCD图像传感器和FoveonX3CMOS图像传感器的发展现状。

二代微光成像器件阴极材料放气成分分析

用四极滤质器对光电阴极碱源材料放气成分进行质谱分析 ,给出了分析结果 ,并对所放出有害气体给制备光电阴极带来的影响进行了讨论。

无像元红外成像器件的微制备方法

本发明提供一种用于微制备无像元热成像器件的方法。用这种微制备方法制备的无像元热成像器件,可以将敏感到的一幅二维中/远红外图像上转换成一幅处于近红外～可见光谱区的二维图像。构成一块量子阱红外光电探测器-发光二极管(QWIP-LED)

GaN类探测成像器件的研究进展及其成果

GaN材料在光电子和微电子领域中得到广泛的应用,因此它是第三代半导体材料的典型代表。它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好(几乎不被任何酸腐蚀)等性质和强的抗辐照能力,在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。在成像技术方面,GaN类的成像器件包括紫外摄像机和紫外数字照相机。