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成像干涉光刻技术与离轴照明光刻技术的对比分析
被引量:
4
1
作者
刘娟
张锦
冯伯儒
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第7期1480-1484,共5页
作为分辨率增强技术(RET)之一,离轴照明技术(OAI)通过调整照明方式,不但能提高分辨率还能很好地改善焦深.成像干涉光刻技术(IIL)利用多次曝光分别记录物体空间频率的不同部分,极大地提高了成像质量,其中大角度倾斜照明是对OAI的扩展.从...
作为分辨率增强技术(RET)之一,离轴照明技术(OAI)通过调整照明方式,不但能提高分辨率还能很好地改善焦深.成像干涉光刻技术(IIL)利用多次曝光分别记录物体空间频率的不同部分,极大地提高了成像质量,其中大角度倾斜照明是对OAI的扩展.从成像原理和频域范围的角度对IIL和OAI进行了理论研究、计算模拟和对比分析.结果表明,在同样条件下,IIL相对于OAI可更好地分辨细微特征.
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关键词
倾斜照明
成像干涉光刻技术
离轴照明
技术
光刻
技术
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职称材料
题名
成像干涉光刻技术与离轴照明光刻技术的对比分析
被引量:
4
1
作者
刘娟
张锦
冯伯儒
机构
中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第7期1480-1484,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(批准号:60276043)~~
文摘
作为分辨率增强技术(RET)之一,离轴照明技术(OAI)通过调整照明方式,不但能提高分辨率还能很好地改善焦深.成像干涉光刻技术(IIL)利用多次曝光分别记录物体空间频率的不同部分,极大地提高了成像质量,其中大角度倾斜照明是对OAI的扩展.从成像原理和频域范围的角度对IIL和OAI进行了理论研究、计算模拟和对比分析.结果表明,在同样条件下,IIL相对于OAI可更好地分辨细微特征.
关键词
倾斜照明
成像干涉光刻技术
离轴照明
技术
光刻
技术
Keywords
oblique illumination
imaging interferometric lithography
off-aixs illumination
optical lithography
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
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被引量
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1
成像干涉光刻技术与离轴照明光刻技术的对比分析
刘娟
张锦
冯伯儒
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
4
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