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锆钛酸铅成分梯度薄膜的介电及铁电性能研究 被引量:1
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作者 李建康 姚熹 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期452-454,457,共4页
采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法,通过快速热处理,在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备出Pb(Zr,Ti)O3成分梯度薄膜。经俄歇微探针能谱仪(AES)对制备的上梯度薄膜进行了成分深度分析,结果证实其成分梯度的存在。经XRD分析表明,制备的梯度薄膜为四方结构... 采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法,通过快速热处理,在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备出Pb(Zr,Ti)O3成分梯度薄膜。经俄歇微探针能谱仪(AES)对制备的上梯度薄膜进行了成分深度分析,结果证实其成分梯度的存在。经XRD分析表明,制备的梯度薄膜为四方结构和三方结构的复合结构,但其晶面存在一定的结构畸变。经介电温谱测试表明,随着温度的升高,梯度薄膜出现一个铁电-铁电相变点和两个居里点,同时出现一定的频率弥散现象。经-εV特性曲线测试表明,梯度薄膜的介电常数-电压(-εV)及介质损耗-电压(tan-δV)曲线呈现典型的双峰特性,并且左右不对称。经不同偏压下电滞回线的测试表明,梯度薄膜表现出良好的铁电性质。 展开更多
关键词 成分梯度薄膜 锆钛酸铅 ε-V及tanδ-V
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基于组合薄膜制备技术的成分梯度薄膜(La_(1-x)Ca_x)VO_3(0≤x≤1)的制备和热电性能研究
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作者 王群骄 张毅斌 《材料开发与应用》 CAS 2010年第5期64-68,共5页
采用"组合激光溅射制膜技术",制备了高质量(La1-xCax)VO3(0≤x≤1)成分梯度薄膜。采用组合热电测量系统和组合XRD系统测量了(La1-xCax)VO3(0≤x≤1)成分梯度薄膜的热电性能和晶体结构。在0≤x≤1范围内,(La1-xCax)VO3形成了... 采用"组合激光溅射制膜技术",制备了高质量(La1-xCax)VO3(0≤x≤1)成分梯度薄膜。采用组合热电测量系统和组合XRD系统测量了(La1-xCax)VO3(0≤x≤1)成分梯度薄膜的热电性能和晶体结构。在0≤x≤1范围内,(La1-xCax)VO3形成了固溶体。800℃生长的LaVO3薄膜具有最大的功率因数(α)值0.6μW/cm K2。V离子化学价对LaVO3的热电性能影响很大,当它由+3向+2变化时,可能获得良好的热电性能。 展开更多
关键词 成分梯度薄膜 热电 钒氧化物 组合激光溅射沉积技术
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Pb(Zr_x,Ti_(1-x))O_3成分梯度铁电薄膜的制备、结构及电性能表征 被引量:4
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作者 李建康 姚熹 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期250-254,共5页
采用Sol-Gel方法,通过快速热处理,在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备出Pb(Zrx,Ti1-x)O3成分梯度薄膜.经俄歇微探针能谱仪(AES)对制备的“上梯度”薄膜进行了成分深度分析,结果证实其成分梯度的存在.经XRD分析表明,制备的梯度薄膜为四方结构和... 采用Sol-Gel方法,通过快速热处理,在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备出Pb(Zrx,Ti1-x)O3成分梯度薄膜.经俄歇微探针能谱仪(AES)对制备的“上梯度”薄膜进行了成分深度分析,结果证实其成分梯度的存在.经XRD分析表明,制备的梯度薄膜为四方结构和三方结构的复合结构,但其晶面存在一定的结构畸变.经介电频谱测试表明,梯度薄膜的介电常数比每个单元的介电常数都大,但介电损耗相近.在10kHz时,上、下梯度薄膜的介电常数分别为206和219.经不同偏压下电滞回线的测试表明,上、下梯度薄膜均表现出良好的铁电性质,其剩余极化强度Pr分别为24.3和26.8μC·cm-2.经热释电性能测试表明,热释电系数随着温度的升高逐渐增加,室温下上、下梯度薄膜的热释电系数分别为5.78和4.61×10-8C·cm-2K-1,高于每个单元的热释电系数. 展开更多
关键词 成分梯度薄膜 锆钛酸铅 快速热处理 热释电系数
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Pb(Zr_xTi_(1-x))O_3成分梯度铁电薄膜的结构及性能 被引量:4
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作者 李建康 姚熹 《复合材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期49-53,共5页
采用Sol-Gel方法,通过快速热处理,在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备出Pb(Zr,Ti)O3成分梯度薄膜。用俄歇微探针能谱仪(AES)对制备的上梯度薄膜进行了成分深度分析,证实其成分梯度的存在。XRD分析表明,制备的梯度薄膜为四方结构和三方结构的复... 采用Sol-Gel方法,通过快速热处理,在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备出Pb(Zr,Ti)O3成分梯度薄膜。用俄歇微探针能谱仪(AES)对制备的上梯度薄膜进行了成分深度分析,证实其成分梯度的存在。XRD分析表明,制备的梯度薄膜为四方结构和三方结构的复合结构,但其晶面存在一定的结构畸变。介电温谱测试表明,随着温度的升高,梯度薄膜出现一个铁电-铁电相变点和两个居里点,同时出现一定的频率弥散现象。不同偏压下电滞回线的测试表明,梯度薄膜表现出良好的铁电性质。热释电性能测试表明,梯度薄膜的热释电系数随着温度的升高逐渐增加,并且其热释电系数比每个单元的热释电系数大。 展开更多
关键词 成分梯度薄膜 锆钛酸铅 介电温谱 热释电系数
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LaNiO_3衬底上Pb(Zr_xTi_(1-x))O_3铁电薄膜及梯度薄膜的制备和研究 被引量:2
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作者 李建康 姚熹 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2005年第5期512-516,共5页
报道了在镍酸镧(LaNiO3,简称LNO)衬底上锆钛酸铅[Pb(ZrxTi1-x)O3,简称PZT]铁电薄膜及其成分梯度薄膜的结构、介电性能、铁电性能以及热释电性能.首先通过金属有机化合物热分解(MOD)法在Si(100)基片上制备出LaNiO3薄膜,再通过溶胶-凝胶(s... 报道了在镍酸镧(LaNiO3,简称LNO)衬底上锆钛酸铅[Pb(ZrxTi1-x)O3,简称PZT]铁电薄膜及其成分梯度薄膜的结构、介电性能、铁电性能以及热释电性能.首先通过金属有机化合物热分解(MOD)法在Si(100)基片上制备出LaNiO3薄膜,再通过溶胶-凝胶(sol-gel)法,在LNO/Si(100)衬底上制备出Pb(Zr0.80Ti0.20)O3[PZT(80/20)]和Pb(Zr0.20Ti0.80)O3[PZT(20/80)]铁电薄膜及其成分梯度薄膜.经俄歇微探针能谱仪(AES)对制备的梯度薄膜进行了成分深度分析,结果证实成分梯度的存在.经XRD分析表明,制备的梯度薄膜为四方结构和三方结构的复合结构,但其晶面存在一定的结构畸变.经介电频谱测试表明,梯度薄膜的介电常数比每个单元的介电常数要大,但介电损耗相近.在10kHz下,梯度薄膜的介电常数和介电损耗分别为317和0.057.经电滞回线的测试表明,梯度薄膜的剩余极化强度比每个单元都大,而矫顽场却明显较小.梯度薄膜的剩余极化强度和矫顽场分别为29.96μC·cm-2和54.12kV·cm-1.经热释电性能测试表明,室温下梯度薄膜的热释电系数为5.54×10-8C·cm-·2K-1,高于每个单元的热释电系数. 展开更多
关键词 LaNiO3薄膜 成分梯度薄膜 锆钛酸铅 热释电系数
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组合薄膜制备技术在热电材料中的应用
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作者 王群骄 张毅斌 《材料开发与应用》 CAS 2010年第4期53-56,共4页
"组合技术"是现代的新材料开发的手段。介绍了一些新的组合技术,如:"组合激光分子束外延技术"和"组合激光溅射制膜技术",并采用"组合激光溅射制膜技术",成功制备了高质量La1-xCexVO3(0≤x≤1)... "组合技术"是现代的新材料开发的手段。介绍了一些新的组合技术,如:"组合激光分子束外延技术"和"组合激光溅射制膜技术",并采用"组合激光溅射制膜技术",成功制备了高质量La1-xCexVO3(0≤x≤1)成分梯度薄膜。采用组合热电测量系统和组合XRD系统测量了La1-xCexVO3(0≤x≤1)成分梯度薄膜的热电性能和晶体结构。"组合激光溅射制膜技术"被证明是非常高效、精确的新材料薄膜研究方法,具有光明的前景。 展开更多
关键词 组合技术 组合激光溅射制膜技术 成分梯度薄膜 热电
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Effect of substrate temperature on microstructures and dielectric properties of compositionally graded BST thin films
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作者 张柏顺 郭涛 +2 位作者 章天金 王今朝 全祖赐 《中国有色金属学会会刊:英文版》 CSCD 2006年第B01期126-129,共4页
Compositionally graded Ba1-xSrxTiO3 (BST) (x = 0-0.3) thin films were prepared on Pt/Ti/SiO2/Si substrate at different substrate temperatures ranging from 550 ℃ to 650 ℃ by radio-frequency (rf) magnetron sputtering.... Compositionally graded Ba1-xSrxTiO3 (BST) (x = 0-0.3) thin films were prepared on Pt/Ti/SiO2/Si substrate at different substrate temperatures ranging from 550 ℃ to 650 ℃ by radio-frequency (rf) magnetron sputtering. The effect of substrate temperature on the preferential orientation, microstructures and dielectric properties of compositionally graded BST thin films was investigated by X-ray diffraction, scanning electron microscopy and dielectric frequency spectra, respectively. As the temperature increases, the preferential orientation evolves in the order: randomly orientation→ (111) → highly oriented (111) (α(111) = 60.2%). The surface roughness of the graded BST thin films varies with the substrate temperatures. No visible internal interface in the compositionally graded thin films can be observed in the cross-sectional SEM images. The graded BST thin films deposited at 650 ℃ possess the highest dielectric constant and dielectric loss, which are 408 and 0.013, respectively. 展开更多
关键词 衬底温度 成分梯度BST薄膜 显微结构 介电性质
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