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集成电路硅片上缺陷空间分布的分形表征 被引量:2
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作者 郝跃 朱春翔 刘志镜 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第8期10-14,共5页
本文主要研究集成电路硅片上缺陷的空间分布.在详细考察缺陷空间成团(Cluster)效应的基础上,提出了一个新的描述缺陷空间分布的量——分数维,并建立了一个结构化的模型.用分数维对缺陷的成团效应及其空间分布进行详细地分... 本文主要研究集成电路硅片上缺陷的空间分布.在详细考察缺陷空间成团(Cluster)效应的基础上,提出了一个新的描述缺陷空间分布的量——分数维,并建立了一个结构化的模型.用分数维对缺陷的成团效应及其空间分布进行详细地分析和计算机模拟,并验证了结果的正确性.本文为实现集成电路可制造性设计中的功能成品率精确表征奠定了基础. 展开更多
关键词 缺陷空间分布 成团效应 集成电路 硅片
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