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非晶态硅薄膜的生长规律及其特性
1
作者
林鸿溢
刘洲峰
《北京理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
1990年第S3期94-99,共6页
非晶态半导体研究所涉及的重要问题之一,是探索制备薄膜材料的优化生长条件。文中对利用等离子体技术制备的非晶态硅薄膜的生长参数作了分析,优化了生长条件。并就生长参数对薄膜特性的影响进行了讨论。利用透射电子显微镜TEM观测了薄...
非晶态半导体研究所涉及的重要问题之一,是探索制备薄膜材料的优化生长条件。文中对利用等离子体技术制备的非晶态硅薄膜的生长参数作了分析,优化了生长条件。并就生长参数对薄膜特性的影响进行了讨论。利用透射电子显微镜TEM观测了薄膜的结构与晶粒度,作了动力学理论分析,其结果与实验相一致。
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关键词
非晶固体
薄膜生长
成核/微晶态硅
非晶
态
硅
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职称材料
题名
非晶态硅薄膜的生长规律及其特性
1
作者
林鸿溢
刘洲峰
机构
北京理工大学电子工程系
出处
《北京理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
1990年第S3期94-99,共6页
文摘
非晶态半导体研究所涉及的重要问题之一,是探索制备薄膜材料的优化生长条件。文中对利用等离子体技术制备的非晶态硅薄膜的生长参数作了分析,优化了生长条件。并就生长参数对薄膜特性的影响进行了讨论。利用透射电子显微镜TEM观测了薄膜的结构与晶粒度,作了动力学理论分析,其结果与实验相一致。
关键词
非晶固体
薄膜生长
成核/微晶态硅
非晶
态
硅
Keywords
non-crystalline solid , film growth, nucleation /microcrystalline silicon , amorphous silicon .
分类号
N55 [自然科学总论]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
非晶态硅薄膜的生长规律及其特性
林鸿溢
刘洲峰
《北京理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
1990
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