半绝缘砷化镓(SI-GaAs)单晶中的微缺陷的研究

砷化镓 (GaAs)为第二代半导体材料 ,GaAs衬底质量直接影响器件性能。利用JEM 2 0 0 2透射电子显微镜 (TEM)及其主要附件X射线能量散射谱仪 (EDXA) ,对半绝缘砷化镓 (SI GaAs)单晶中微缺陷进行了研究。发现SI GaAs单晶中的微缺陷包含有富镓沉淀、富砷沉淀、砷沉淀、GaAs多晶颗粒和小位错回线等。还分析了微缺陷的形成机制。

CdS纳米粒子的自组装单分子膜制备研究

利用巯基乙酸与草酸的混合自组装单分子膜成功制备了粒径分布均匀的CdS纳米粒子,并用SEM,XRD,XPS,PL对样品进行了表征。SEM表明形成在自组装单分子膜表面上的CdS纳米粒子的平均粒径约为45nm。XPS表明在自组装单分子膜表面形成了CdS纳米粒子。PL谱表明CdS纳米粒子在675nm有一峰值波长,我们认为这一发光是由表面缺陷造成的。

液态Bi的过冷及Bi-Ⅱ高压相的形成

本文研究了常压下液态Bi 在落管所提供的高清洁、无容器环境中自由下落和在氦气保护下经循环过热处理后的过冷行为。通过控制液滴的尺寸和冷却速率得到了较大的过冷度。过冷样品具有与常压稳定相Bi-Ⅰ(三角点阵)完全不同的单斜点阵。其点阵参数为a=0.6968 nm,b=0.6286nm,,c=0.3397 nm,β=11O.33°;单胞体积为0.1488 nm^3,它与Brugger 等人在2.6GPa 下得到的Bi-Ⅱ高压相(单斜点阵)的单胞体积相比,后者有一个9.34％的体积压缩,这与Bridgman的结果符合得很好。

表面形貌对初始滴状冷凝的影响

鉴于镁能与热水(冷凝液)反应,反应后镁表面的化学成分将发生变化,初始冷凝液核的形态将被保留在镁表面上,所以本实验采用金属镁作为冷凝表面。同时为了研究冷凝表面微观形貌同滴状冷凝之间的关系,在相近的冷凝条件下,选取不同磁控溅射条件下制备的镁膜作为冷凝表面,采用分形理论对镁表面冷凝前表面形貌的复杂程度进行量化研究,运用差分计盒维数法计算镁表面冷凝前表面形貌的分形维数。结果表明冷凝试件的表面形貌特征对初始滴状冷凝的液核数有较大影响,其分形维数不同,冷凝后镁表面初始液核数也不同。在实验的基础上,建立了能够反映表面分形维数对成核中心密度影响的定量关系式。