H杂质在Mo-Ta晶格中成键机制的研究

Mo-Ta合金作为一种有高熔点、抗辐照等特点的材料,被视为聚变工程中制造第一壁的潜在材料。目前有关Mo-Ta合金与H杂质相互作用的研究还不完善,本文研究了H杂质在体心立方Mo53Ta_(1)合金中间隙位置的成键机制。通过基于密度泛函的第一性原理方法,通过Material Studio的CASTEP(Cambridge Serial Total Energy Package)模块计算了Mo53Ta_(1)-H体系的溶解能,态密度与布居数。溶解能计算结果表明:H原子在Mo-Ta合金中更倾向于存在与四面体间隙位置;通过分波态密度与布居数,分析了H、Mo、Ta之间不同电子轨道间电子转移情况与不同原子间的成键情况。得出Mo、Ta间为金属键,H与Ta和Mo之间存在共价作用,且H与Ta之间的共价作用更强。

Cs-Mg-H合金的形成能力与成键机制研究

采用基于密度泛函理论第一性原理的Vienna Abinitio Simulation Package(VASP)软件研究了CsMgH3,Cs4Mg3H10和Cs2MgH4氢化物的晶体结构、反应焓和电子结构.结果表明CsMgH3,Cs4Mg3H10和Cs2MgH4都能直接由单质Cs和Mg在H2中反应生成,其中Cs4Mg3H10的形成能力最强;态密度和电荷密度的分析与讨论表明了Mg和H的成键机制为离子键伴随着显著的共价键.

Pt_2M_2异金属四核原子簇化合物成键规律探讨

对十二个Pt_2M_2四核异金属簇化合物进行了鼻子化学DV－Xα方法的计算与讨论，探讨了这些原子簇的成键规律．它们大致可分为三类：Pt与回族金同形成的四该簇，Pt尽量保持自己原有的公电行；Pt与VB族金属形成的原子簇，VB族元素是电荷的主要提供者；Pt与IB族金属形成的原子簇，体系主要由配体PPh_3提供电荷．并提出，簇合时，三笨基膦配体起电子调节作用，环戊烯基配体起推电子作用．从能带分析，VB族或IB族金属介入原子簇，使Pt的5d能带上升或下降。