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基于应变调制型磁性隧道结的自动置位逻辑门电路 被引量:2
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作者 徐立 蔡理 +3 位作者 崔焕卿 王森 杨晓阔 冯朝文 《微纳电子技术》 北大核心 2018年第2期84-90,共7页
建立了应变调制型磁性隧道结(MTJ)器件的HSpice电路仿真模型,分析了该器件的转换特性。基于所建立的模型并结合BSIM4 90 nm CMOS模型,设计了一种非易失性自动置位逻辑门电路。分析了4种组合输入电压作用下电路中MTJ磁阻的转变特性。... 建立了应变调制型磁性隧道结(MTJ)器件的HSpice电路仿真模型,分析了该器件的转换特性。基于所建立的模型并结合BSIM4 90 nm CMOS模型,设计了一种非易失性自动置位逻辑门电路。分析了4种组合输入电压作用下电路中MTJ磁阻的转变特性。对所设计电路的逻辑功能进行仿真分析,通过改变MTJ尺寸参数,得到了所设计电路两种规格下的输入和输出特性。仿真结果表明,该电路成功实现了或非(NOR)和与非(NAND)逻辑,验证了所设计电路功能的正确性。研究结果对今后基于应变调制型MTJ器件设计低功耗和非易失性集成电路具有重要意义。 展开更多
关键词 应变调制型磁性隧道结(MTJ) 电路模型 或非(NOR)逻辑 与非(NAND)逻辑 CMOS
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