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基于应变调制型磁性隧道结的自动置位逻辑门电路
被引量:
2
1
作者
徐立
蔡理
+3 位作者
崔焕卿
王森
杨晓阔
冯朝文
《微纳电子技术》
北大核心
2018年第2期84-90,共7页
建立了应变调制型磁性隧道结(MTJ)器件的HSpice电路仿真模型,分析了该器件的转换特性。基于所建立的模型并结合BSIM4 90 nm CMOS模型,设计了一种非易失性自动置位逻辑门电路。分析了4种组合输入电压作用下电路中MTJ磁阻的转变特性。...
建立了应变调制型磁性隧道结(MTJ)器件的HSpice电路仿真模型,分析了该器件的转换特性。基于所建立的模型并结合BSIM4 90 nm CMOS模型,设计了一种非易失性自动置位逻辑门电路。分析了4种组合输入电压作用下电路中MTJ磁阻的转变特性。对所设计电路的逻辑功能进行仿真分析,通过改变MTJ尺寸参数,得到了所设计电路两种规格下的输入和输出特性。仿真结果表明,该电路成功实现了或非(NOR)和与非(NAND)逻辑,验证了所设计电路功能的正确性。研究结果对今后基于应变调制型MTJ器件设计低功耗和非易失性集成电路具有重要意义。
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关键词
应变调制型磁性隧道结(MTJ)
电路模型
或非
(NOR)
逻辑
与非(NAND)
逻辑
CMOS
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职称材料
题名
基于应变调制型磁性隧道结的自动置位逻辑门电路
被引量:
2
1
作者
徐立
蔡理
崔焕卿
王森
杨晓阔
冯朝文
机构
空军工程大学理学院
出处
《微纳电子技术》
北大核心
2018年第2期84-90,共7页
基金
国家自然科学基金资助项目(61302022,61401498)
文摘
建立了应变调制型磁性隧道结(MTJ)器件的HSpice电路仿真模型,分析了该器件的转换特性。基于所建立的模型并结合BSIM4 90 nm CMOS模型,设计了一种非易失性自动置位逻辑门电路。分析了4种组合输入电压作用下电路中MTJ磁阻的转变特性。对所设计电路的逻辑功能进行仿真分析,通过改变MTJ尺寸参数,得到了所设计电路两种规格下的输入和输出特性。仿真结果表明,该电路成功实现了或非(NOR)和与非(NAND)逻辑,验证了所设计电路功能的正确性。研究结果对今后基于应变调制型MTJ器件设计低功耗和非易失性集成电路具有重要意义。
关键词
应变调制型磁性隧道结(MTJ)
电路模型
或非
(NOR)
逻辑
与非(NAND)
逻辑
CMOS
Keywords
strain-mediated magnetic tunneling junction (MTJ)
circuit model
NOR logic
NAND logic
CMOS
分类号
TN791 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于应变调制型磁性隧道结的自动置位逻辑门电路
徐立
蔡理
崔焕卿
王森
杨晓阔
冯朝文
《微纳电子技术》
北大核心
2018
2
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