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基于ARM的引导加载技术的研究与实现 被引量:2
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作者 胡金霞 傅秀芬 +1 位作者 许素霞 朱朝晖 《计算机技术与发展》 2008年第7期35-37,41,共4页
为了减小嵌入式系统的体积和价格,对嵌入式中两种主要的闪存:NOR Flash and NAND Flash进行了研究。由于NORFlash存在布线多、成本高、存储容量小、擦写速度慢等缺点,根据嵌入式系统可裁减可移植的特点,在对ARM处理器的启动方式进行分... 为了减小嵌入式系统的体积和价格,对嵌入式中两种主要的闪存:NOR Flash and NAND Flash进行了研究。由于NORFlash存在布线多、成本高、存储容量小、擦写速度慢等缺点,根据嵌入式系统可裁减可移植的特点,在对ARM处理器的启动方式进行分析和比较的基础上,裁掉NOR Flash芯片,仅用NAND Flash芯片引导和启动系统。并着重阐述了采用有效的存储结构提供可靠的坏块管理机制,采用多级引导方式,实现基于NAND Flash的引导。从而节省NOR Flash芯片,降低了成本。 展开更多
关键词 或非型闪存 与非 引导加载程序 坏块管理 多级引导
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