端基为磺酸基的希夫碱型侧链聚硅氧烷液晶的合成及表征

首先以对羟基苯甲醛、对氨基苯磺酸合成希夫碱化合物;然后将对羟基苯甲酸、氯乙醇、丙烯酸、含氢硅油通过取代、酯化、硅氢化反应合成聚硅氧烷化合物;聚合物再经过酰化反应后,与希夫碱发生酚解反应合成了目标液晶。通过红外光谱对液晶化合物的结构进行表征,并利用偏光显微镜和DSC测试目标产物的液晶性能。结果表明：此液晶具有近晶A型液晶特性,液晶相变化范围为135.39~198.58℃,液晶范围宽,为特殊功能材料提供了研究范围;同时,在液晶合成与制备方面也优化了合成路线。

长链烷基咪唑类离子液晶的合成及其液晶性

以1-甲基咪唑,四氟硼酸铵,六氟磷酸钾,溴代十四烷及溴代十六烷为主要原料,合成了6个长链烷基咪唑盐类离子型化合物。以元素分析、IR及1 H-NMR对化合物结构进行了表征。通过DSC和偏光显微镜研究了化合物的液晶相。结果表明,6个离子型有机化合物均具有热致液晶性,呈现液晶相扇形织构。在加热过程中,其液晶区间为34～144℃,冷却过程中为47～151℃。对于阴离子相同的离子液晶化合物,烷基链较长时液晶区间更宽。进一步研究发现,这些离子液晶相互混合后其熔点降低,且仍可以体现出热致液晶性及扇形织构;当阴离子为溴离子型的化合物相互混合后,混合物的液晶区间比组成它的纯净物更宽。