一款家用轿车轮胎扎钉智能报警器

随着人民生活水平的不断提高,家用轿车走进了千家万户,给人民群众便利出行带来了诸多方便。国产轿车正在崛起,其配置不输合资车,舒适性和安全性充分彰显。譬如,360影像清晰直观,指向性更加明确,可以说是新手的福音;倒车雷达能够显示前后左右的盲区安全距离,让停车随心所欲,信心满满;自动驻车功能在半坡起步中彻底解决了溜车的危险,并释放了拥挤道路情况下的右脚;并线辅助提高了变道行车的安全性;自动大灯解决了出入隧道的安全性,司机只需把注意力放在前方即可。

基于51单片机轮胎扎钉报警系统设计与应用

随着车流量的增加,高速公路交通事故日益频繁,大概率的交通事故是由于爆胎引起的,其主要原因是铁钉、螺丝、铁屑等金属物扎入高速运转的轮胎。因此,本文设计了基于51单片机轮胎扎钉报警系统,阐述了系统方案设计,主要采用硬件选型及设计,并以STC89C51单片机为控制核心。系统运行结果表明,本文系统为车辆行驶安全提供了一种新型的保障装置,具有功耗低、灵敏度高、可靠性高等优点,在实际中有较高的运用价值。

轮胎扎钉对电动汽车电磁兼容性能影响的研究

电动汽车在进行GB34660-2017标准要求的宽带发射试验时,车辆一般在半电波暗室(ALSE)内转毂上40km/h车速下进行试验。当轮胎扎钉时,金属钉子与金属转毂间的接触与分离会促使金属间产生摩擦带电的现象,通过理论分析得到该现象产生的静电放电效应在30_1000MHz宽频带会产生较大的对外发射,影响电动汽车的宽带发射结果。通过实际静电放电测试,验证了静电放电效应对辐射发射测量的影响。

基于格子Boltzmann方法的钉扎螺旋波反馈控制

螺旋波是心室跳动过速和纤维性颤动的根源,钉扎螺旋波相对于自由螺旋波来说更难消除.本文采用格子Boltzmann方法求解,以FitzHugh-Nagumo模型为对象,研究了使用反馈控制法消除钉扎螺旋波.数值结果表明,无论钉扎螺旋波钉在圆形障碍物还是矩形障碍物上,反馈控制法对其都具有很好的控制作用.此外,通过数值模拟系统研究了可激性系数、反馈控制信号幅度、记录反馈信号时间和障碍物的大小对钉扎螺旋波的控制情况.研究表明,钉扎螺旋波消除有三种情况.首先,反馈控制信号幅度和可激性系数与钉扎螺旋波消除所需的时间有关,反馈控制信号幅度越大或可激性系数越小,钉扎螺旋波消除越快.其次,障碍物大小和可激性系数影响着能成功消除钉扎螺旋波下记录反馈信号时间与加入反馈控制时间之间对应的时间间隔.最后,在保持加入反馈控制时间不变的情况下,记录反馈信号时间影响着能成功消除钉扎螺旋波所需的最小反馈控制信号幅度.

高温超导钉扎磁悬浮系统分岔和混沌特性研究

高温超导钉扎磁悬浮系统的应用十分广泛,但由于其悬浮力的非线性特性,导致在实际应用中经常引起设备的异常振动。为了探究高温超导钉扎磁悬浮系统的非线性振动特性和寻找避免发生异常振动的措施,首先,通过实验装置测量不同悬浮间隙下的悬浮力数据,将其拟合成指数模型,然后,基于该模型建立简谐激励下高温超导钉扎磁悬浮系统的动力学模型,最后,研究系统的分岔和混沌特性。研究表明,系统存在丰富的非线性动力学行为;系统的混沌阈值随着激励频率的增大先减小后增大,即系统在低频阶段和高频阶段不易发生混沌运动,而在中频阶段易发生混沌运动;质量、阻尼和场冷高度对混沌阈值均存在一定影响。研究结果为高温超导钉扎磁悬浮系统的参数设计及其抑振方法提供参考。

相场方法研究硬质颗粒钉扎的两相晶粒长大过程

采用相场方法模拟第三相颗粒钉扎的两相耦合的晶粒长大过程,系统地研究了第三相颗粒体积分数和尺寸大小对两相晶粒长大过程的影响.模拟结果表明,第三相颗粒体积分数越大,对晶界的钉扎作用越强,且极限晶粒尺寸越小.单个第三相颗粒尺寸越大,对晶界钉扎作用越强.但当体积分数一定时第三相颗粒尺寸越小时,颗粒数目会越多,此时总的钉扎效果会越好,晶粒极限尺寸也越小.若晶粒长大系统同时引入两种不同大小的第三相钉扎颗粒,且两种颗粒所占比例相同时,钉扎效果最好.相场方法模拟所得到的二相多晶材料晶粒组织演化规律和晶粒生长指数、晶粒形态、生长动力学和拓扑结构特征与已有实验和理论结果相符合.

中子辐照6H-SiC晶体中的钉扎效应

分别对两种不同的6H-SiC晶体进行了总通量为5.74×1018n.cm-2、8.2×1018n.cm-2和1.72×1019n.cm-2的不同剂量的中子辐照,利用X射线衍射等手段观测了中子辐照引起的晶体内部损伤。结果表明:两种样品在不同的中子通量辐照下,消除部分原始缺陷的、纯度较高的样品辐照后的内部损伤明显小于纯度较低、内部原始缺陷较多的样品。样品的辐照损伤不仅取决于中子辐照剂量,还取决于其辐照时的成分和结构。晶体的结构缺陷和杂质,作为一种"钉扎",在辐照过程中作用极大,它们导致了晶体的长程缺陷(如位错)的大幅度增加。

弛豫铁电体的介电老化行为与钉扎效应

通过对典型弛豫铁电体PLZT的介电老化行为研究,发现其介电温度谱中老化温度附近的介电行为与材料结构及缺陷调整存在着有机联系,表明复合钙钛矿弛豫铁电体的结构缺陷特征对其介电老化行为起着重要作用.结合弛豫铁电体老化和退老化介电行为对比分析以及其恒温经时老化行为的研究,揭示出复合钙钛矿弛豫铁电体结构缺陷上的局域化电子和空穴,在内电场作用下,老化一段时间后,产生对称分布,对极化微区产生“钉扎”效应.进而,其介电温度谱中居里温度附近出现的Barkhausen脉冲,则证实了钉扎后的铁电畴壁具有介稳态特征.

二相粒子钉扎晶界的行为研究

基于系统能量最小原理,研究了晶界与二相粒子之间的相互作用,推导了动态条件下的晶界方程,并从功能转换的角度求解出了钉扎力的数学公式,进而建立了更为符合实际的动态的二相粒子与晶界相互作用的物理模型。结果表明,当晶界通过二相粒子的中心平面时,单一二相粒子对单一晶界施以最大的作用力2πrγ;析出物的尺寸控制在60 nm为宜。模拟结果预测了晶粒停止长大所需要的临界二相粒子个数。模型结果与已有的实验结果吻合得非常好。

Sn对Nd-Fe-B合金高温(423K)磁后效和畴壁钉扎的影响

研究了Ｎｄ－Ｄｙ－Ｆｅ－Ｂ和Ｎｄ－Ｄｙ－Ｆｅ－Ｂ－Ｓｎ合金在４２３Ｋ的磁后效，发现两者的磁化强度都按时间对数衰减，Ｎｄ－Ｄｙ－ Ｆｅ－Ｂ－Ｓｎ合金的磁后效起伏场Ｈ_ｆ大于Ｎｄ－Ｄｙ－Ｆｅ－Ｂ合金．用Ｇａｕｎｔ的畴壁钉扎理论分析该温度下两者的钉扎机制后发现，对 于Ｎｄ－Ｄｙ－Ｆｅ－Ｂ－Ｓｎ合金，按畴壁强钉扎模型计算的钉扎密度与显微分析一致，因而，其反磁化过程在此温度下由畴壁强钉扎控制。 而Ｎｄ－Ｄｙ－Ｆｅ－Ｂ合金的实验结果，与强钉扎模型计算结果不相符，进一步分析表明，Ｎｄ－Ｄｙ－Ｆｅ－Ｂ合金的磁化反转过程由局域化弱钉扎控制。

缺陷钉扎导致的铁电陶瓷介电弛豫

把电荷密度波理论引入到铁电陶瓷的介电温谱研究中。指出陶瓷中缺陷的钉扎效应导致介电响应的弛豫。高温时,集体钉扎主导陶瓷的极化行为;低温时,局域亚稳态的弛豫对极化起决定作用。两者的竞争导致介电峰值的出现。理论计算与试验结果定性吻合。

元素替代对PMP YBCO超导体磁通钉扎的影响

采用粉末熔化处理（ＰＭＰ）法制备了一系列元素替代体系的Ｙ１－ｘＬｎｘＢａ２Ｃｕ３Ｏｙ（Ｌｎ＝Ｈｏ，Ｅｒ或Ｇｄ）及ＹＢａ２Ｃｕ３－ｘＳｎｘＯｙ超导体，系统地研究了体系的熔化温度、临界温度、微观结构和磁通钉扎特性等随元素替代量的变化。发现添加Ｈｏ、Ｅｒ或Ｇｄ部分替代Ｙ能提高体系的临界电流密度Ｊｃ，使钉扎势有所增加，其原因除了２１１粒子细化之外，样品中存在的磁性钉扎和应力钉扎也十分重要。此外，在ＰＭＰ掺Ｈｏ的ＹＢＣＯ中有大量的集合式楼梯状的堆垛层错，这种层错是ＹＢＣＯ中强有力的钉扎中心。对掺Ｓｎ样品的研究表明，Ｓｎ部分替代Ｃｕ能减小２１１粒子尺寸，提高Ｊｃ，增强样品的钉扎能力。

不同气氛下制备的PLT铁电薄膜钉扎现象的研究

采用金属有机物热分解法在氮和氧气氛下分别制备了不同Ｐｂ过量的镧钛酸铅（ＰＬＴ）铁电薄膜。薄膜电性能测试表明，两种气氛下所制备的Ｐｂ过量ＰＬＴ薄膜样品出现电滞回线束腰和ε－Ｖ曲线四峰等异常现象。氧气氛下薄膜电性能的异常程度强于氮气氛下的薄膜，而氮气氛下薄膜电滞回线在水平方向上的漂移程度远大于氧气氛下的薄膜。实验表明，氧气氛促进了Ｐｂ过量的ＰＬＴ薄膜在晶界处和界面上ＰｂＯ相的形成，增强了ＰｂＯ相所导致的陷阱电荷对电畴的钉扎效应。而氮气氛促进了下电极与薄膜界面处氧空位的产生，被陷的氧空位与Ｐｂ空位等组成的偶极子在电场作用下不能反转，因此产生了ＰＬＴ薄膜在水平方向的较大漂移。

NiO钉扎的自旋阀的结构和磁性

利用反应溅射的方法制备了ＮｉＯ薄膜，并研究了ＮｉＯ对ＮｉＦｅ薄膜的钉扎作用，结果表明钉扎场与反应溅射时的Ａｒ／Ｏ２比例、总的溅射气压、基底的粗糙度等有很大关系．利用光电子能谱（ＸＰ）分析了ＮｉＯ２中的Ｎｉ，Ｏ离子的价态．并制备了ＮｉＯ钉扎的自旋阀Ｔａ／ＮｉＯ／ＮｉＦｅ／Ｃｕ／ＮｉＦｅ／Ｔａ，其磁电阻（ＭＲ）可达到２．２％，钉扎场为１０．４８ｋＡ／ｍ．

YBa_2Cu_3O_(7-x)高温超导涂层导体磁通钉扎的研究进展

以YBa2Cu3O7-x(YBCO)超导涂层为导体的第二代高温超导带材由于其优异的本征性能,吸引着人们不断探索和研究其实用成材技术。现在,近千米长带的研制成功,使其已经或即将应用于电缆、马达和其他电力器件。为了更好地使YBCO涂层导体能够在高温高磁场下应用,最近在YBCO中引入钉扎中心以提高它的电磁性能的研究是一个热点。综述了近年来二代超导带材的发展状况,并对目前高温超导体中提高电学性能的研究做了较为系统的介绍。

空间大口径拼接反射镜磁通钉扎连接机构的力学特性

应用于空间光学系统的机械拼接机构存在润滑、热膨胀系数匹配、结构复杂、拼接偏心距小等问题,本文提出了可应用于空间大口径拼接反射镜的磁通钉扎接口方案,采用永磁体的等效电流分布模型并融合磁场法,建立了超导-永磁体磁通钉扎接口的数学模型进行仿真分析,并通过实验验证了模型的有效性。结果表明,超导体-永磁体的间隔在5 mm时,垂直连接刚度ky可达7000 N/m;当磁体-超导体的间隔为10 mm,二者处于中心位置时侧向刚度kx可达3800 N/m;磁通钉扎接口在偏心距Δx=4 mm时的垂直刚度ky相比于Δx=0时下降约20%,刚度下降不显著。相比于传统机械接口,磁通钉扎接口在反射镜对接时具备足够的连接刚度,可以允许更大的偏心距Δx,同时接口的力特性使得拼接镜在重构过程中满足缓冲定位的要求。

高温超导体的钉扎和弱连接

研究了有织构的高T_c块状样品和烧结高T_c块状样品,在磁化曲线、交流磁化率、电阻R(T)转变曲线方面的差别。结果表明,熔融织构法是增强钉扎、克服弱连接的有效方法。

铋系高温超导体的磁通线钉扎与晶体缺陷

研究了成份为（ＢｉＰｂ）＿（１８）Ｓｒ＿（２．０）Ｃａ＿（２．２）Ｃｕ＿（３．０）Ｏ＿ｘ的低密度冷压烧结块材，高密度热等静压块材及银包覆轧制带在磁场下的临界电流密度，体钉扎力密度与磁场的关系。钉扎机理的曲线拟合表明，磁通线剪切机理可以解释试样的磁通线钉扎行为。晶界第二相（玻璃相）、位错、层错的观察支持这种钉扎机理的判断。银包覆轧制带传输临界电流在磁场下的各向异性表明，要进一步改善钉扎能力需获取纳米级晶内钉扎中心。

利用被钉扎层调控自旋阀的磁电阻值

利用高真空直流磁控溅射仪,在玻璃衬底上制备了结构为"Glass/Ta(6nm)/NiFe(6nm)/CoFe(1nm)/Cu(3nm)/CoFe(t nm)/IrMn(11nm)/Ta(6nm)"的自旋阀.研究了被钉扎层CoFe的厚度t对自旋阀磁性能的影响,当t为7.5nm时自旋阀主要性能达到最佳,并且在外加磁场4 000Oe下,270℃保温3h退火处理后,自旋阀的GMR值进一步达到5.5%,自由层矫顽力为3Oe,交换偏置场为130Oe.通过以上的优化方案,可以研制出高磁电阻率、低矫顽力和大交换偏置场的自旋阀.

Oxide/GaAs的费米能级钉扎效应

用表面光伏方法研究了N-GaAs(100)在21～320K温度范围内的表面势V_、表面费米能级R_的温度性质和费米能级钉扎效应,得到Oxide/N-GaAs(100)系统的费米能级钉扎位置为E.+0.75eV,并通过与已有工作的比较指出GaAs等Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的费米能级钉扎位置应与晶面取向无直接联系。