期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
扩散平面结反偏压下的电场分布与击穿电压
被引量:
2
1
作者
陈星弼
曾军
《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1992年第5期491-499,共9页
采用以结深r_j及qN_Br_j^2/ε:为归一化因子的长度和电压(N_?为衬底杂质浓度,q、ε_?的意义如常),通过简单的计算公式及程序,算出了包括各种实用扩散结的平面、边、角的耗尽层厚度,结面上电场和最大电场与结电压的关系,击穿电压与结深...
采用以结深r_j及qN_Br_j^2/ε:为归一化因子的长度和电压(N_?为衬底杂质浓度,q、ε_?的意义如常),通过简单的计算公式及程序,算出了包括各种实用扩散结的平面、边、角的耗尽层厚度,结面上电场和最大电场与结电压的关系,击穿电压与结深的关系。为便于实用,给出了与扩散工艺条件有关的量作参考的曲线族。对边、角部分的击穿电压有时可高于平面部分的击穿电压的情况,进行了物理解释。
展开更多
关键词
扩散平面结
电场
结
电压
击穿电压
下载PDF
职称材料
题名
扩散平面结反偏压下的电场分布与击穿电压
被引量:
2
1
作者
陈星弼
曾军
机构
电子科技大学微电子所
出处
《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1992年第5期491-499,共9页
文摘
采用以结深r_j及qN_Br_j^2/ε:为归一化因子的长度和电压(N_?为衬底杂质浓度,q、ε_?的意义如常),通过简单的计算公式及程序,算出了包括各种实用扩散结的平面、边、角的耗尽层厚度,结面上电场和最大电场与结电压的关系,击穿电压与结深的关系。为便于实用,给出了与扩散工艺条件有关的量作参考的曲线族。对边、角部分的击穿电压有时可高于平面部分的击穿电压的情况,进行了物理解释。
关键词
扩散平面结
电场
结
电压
击穿电压
Keywords
diffused planar junctions
electrical field
junction voltage
depletion layer
breakdown voltage
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
扩散平面结反偏压下的电场分布与击穿电压
陈星弼
曾军
《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1992
2
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部