扩磷多晶硅的反应离子刻蚀

提出了一种利用普通光刻机获得亚微米、深亚微米刻蚀掩蔽图形的方法：二氧化硅膜过腐蚀法。利用该方法形成的掩蔽图形实现了扩磷多晶硅的高度各向异性反应离子刻蚀，并对其刻蚀机理进行了分析。