电容器用铝箔交流腐蚀理论扩面倍率K的计算机模拟计算

建立了YF基元生长模型来模拟腐蚀箔形态 ,并利用该模型计算了各种形成电压下的理论扩面倍率 ,所得到的结果介于C .G .Dunn的圆孔模型和永田伊佐也的方孔模型之间。结果显示 :目前近高压区 (>3 0 0V)的实际扩面倍率与理论扩面倍率已很接近 ,通过电蚀扩面的前景较小 ,而对于中低压腐蚀箔 ,单位面积的静电容量的提高余地还很大。