国际标准ISO TR22335实验比对

为了制定"技术报告"类国际标准ISO TR22335,2005年2月ISO/TC201技术委员会委托美国国家标准学会负责召集工作小组,小组成员由中国、匈牙利、日本、英国、美国、瑞士、韩国、菲律宾、俄罗斯等9个国家组成,中国等3个国家的6个实验室参加了实验比对,其中清华大学分析中心扫描俄歇电子能谱仪测得的标准偏差值最接近实际值,测得结果为:利用单孔栅网对97nm的热氧化二氧化硅片进行界面溅射测量,测量的孔内(IA)标准偏差值为0.06min,孔外(OA)标准偏差值为0.03min;氧化层厚度测量的标准偏差值为0.4nm。

GaAs/(Pd,Ti,Pd,Au)多层膜的退火扩散机制

采用扫描俄歇电子能谱法 ,对GaAs/Pd( 50 )Ti( 4 0 0 )Pd( 4 0 0 )Au( 2 0 0 0 )在不同退火条件下多层膜间的扩散机制进行了研究 结果表明 ,薄膜与衬底结合较好 ,各层薄膜之间的扩散随退火温度的升高而更加充分 ,在 4 50℃以上退火后 ,各层薄膜之间发生了充分的扩散 。