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InP/In_xGa_(1-x)As异质结构中Zn元素的扩散机制
被引量:
2
1
作者
李永富
唐恒敬
+7 位作者
李淘
朱耀明
汪洋
殷豪
李天信
缪国庆
李雪
龚海梅
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2009年第6期951-956,共6页
采用闭管扩散方式实现了Zn元素在晶格匹配InP/In0.53Ga0.47As及晶格失配InP/In0.82Ga0.18As两种异质结构材料中的P型掺杂,利用二次离子质谱(SIMS)以及扫描电容显微技术(SCM)对Zn在两种材料中的扩散机制进行了研究。SIMS测试表明:Zn元素...
采用闭管扩散方式实现了Zn元素在晶格匹配InP/In0.53Ga0.47As及晶格失配InP/In0.82Ga0.18As两种异质结构材料中的P型掺杂,利用二次离子质谱(SIMS)以及扫描电容显微技术(SCM)对Zn在两种材料中的扩散机制进行了研究。SIMS测试表明:Zn元素在晶格失配材料中的扩散速度远大于在晶格匹配材料中的扩散速度,而SCM测试表明:两种材料中的实际PN结深度与SIMS测得的Zn扩散深度之间存在一定的差值,这是由于扩散进入材料中的Zn元素并没有被完全激活,而晶格失配材料中Zn的激活效率相对更低,使得晶格失配材料中Zn元素扩散深度与PN结深度的差值更大。SCM法是一种新颖快捷的半导体结深测试法,对于半导体器件工艺研究具有重要的指导意义。
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关键词
二次离子质谱
扫描电容显微技术
ZN扩散
下载PDF
职称材料
题名
InP/In_xGa_(1-x)As异质结构中Zn元素的扩散机制
被引量:
2
1
作者
李永富
唐恒敬
李淘
朱耀明
汪洋
殷豪
李天信
缪国庆
李雪
龚海梅
机构
中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室
中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室
中国科学院研究生院
中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室
出处
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2009年第6期951-956,共6页
基金
国家自然科学基金重点资助项目(50632060)
中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿资助项目(C2-32
C2-50)
文摘
采用闭管扩散方式实现了Zn元素在晶格匹配InP/In0.53Ga0.47As及晶格失配InP/In0.82Ga0.18As两种异质结构材料中的P型掺杂,利用二次离子质谱(SIMS)以及扫描电容显微技术(SCM)对Zn在两种材料中的扩散机制进行了研究。SIMS测试表明:Zn元素在晶格失配材料中的扩散速度远大于在晶格匹配材料中的扩散速度,而SCM测试表明:两种材料中的实际PN结深度与SIMS测得的Zn扩散深度之间存在一定的差值,这是由于扩散进入材料中的Zn元素并没有被完全激活,而晶格失配材料中Zn的激活效率相对更低,使得晶格失配材料中Zn元素扩散深度与PN结深度的差值更大。SCM法是一种新颖快捷的半导体结深测试法,对于半导体器件工艺研究具有重要的指导意义。
关键词
二次离子质谱
扫描电容显微技术
ZN扩散
Keywords
Secondary ion mass spectroscopy (SIMS)
Scanning capacitance microscopy (SCM)
Zn diffusion
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
InP/In_xGa_(1-x)As异质结构中Zn元素的扩散机制
李永富
唐恒敬
李淘
朱耀明
汪洋
殷豪
李天信
缪国庆
李雪
龚海梅
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2009
2
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职称材料
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