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抑制侧壁注入式磁敏晶体管结构的研究
1
作者
周正利
沈启舜
《上海交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第7期24-27,共4页
介绍了一种新型的用CMOS标准工艺制作的具有抑制侧壁注入效应的横向磁敏晶体管.理论分析及实验测量结果表明。
关键词
抑制侧壁注入
磁敏晶体管
CMOS工艺
下载PDF
职称材料
题名
抑制侧壁注入式磁敏晶体管结构的研究
1
作者
周正利
沈启舜
机构
光纤技术研究所 应用物理系
出处
《上海交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第7期24-27,共4页
基金
复旦大学国家微分析中心资助项目
文摘
介绍了一种新型的用CMOS标准工艺制作的具有抑制侧壁注入效应的横向磁敏晶体管.理论分析及实验测量结果表明。
关键词
抑制侧壁注入
磁敏晶体管
CMOS工艺
Keywords
suppressed sidewalk injection
magnetotransistor
CMOS technology
分类号
TN322.5 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
抑制侧壁注入式磁敏晶体管结构的研究
周正利
沈启舜
《上海交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996
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