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抑制侧壁注入式磁敏晶体管结构的研究
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作者 周正利 沈启舜 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第7期24-27,共4页
介绍了一种新型的用CMOS标准工艺制作的具有抑制侧壁注入效应的横向磁敏晶体管.理论分析及实验测量结果表明。
关键词 抑制侧壁注入 磁敏晶体管 CMOS工艺
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