注意缺陷多动障碍患儿执行功能Nogo-P300水平变化

目的通过Nogo事件相关电位检测,对Nogo事件相关电位的起源及其与注意缺陷多动障碍(ADHD)患儿的执行功能进行探讨。方法对36例ADHD患儿(病例组)和30例健康儿童(健康对照组)进行Nogo事件相关电位检测,检测中受试者需对稀有声刺激执行按键反应(代表Go反应),对标准声刺激不执行按键反应(代表Nogo反应),从Nogo反应中可获得Nogo-P300电位,其主成分Nogo-N2、Nogo-P3即出现于Nogo事件相关电位中。对Nogo-N2、Nogo-P3的波幅进行测量。结果病例组Nogo-N2波幅负性程度低于健康对照组[-(5.36±1.87)μVvs-(7.85±1.74)μV],Nogo-P3波幅亦低于健康对照组[(5.62±2.36)μVvs(8.32±2.03)μV],2组比较差异均有统计学意义(t=4.92、5.55,Pa<0.01)。结论 Nogo-N2、Nogo-P3波幅降低,说明ADHD患儿抑制性执行功能不足,其电生理学指标Nogo-N2波幅降低,可反映其前扣带回功能异常;Nogo-P3波幅负性程度降低,可反映其前额叶、前扣带回脑区功能异常。通过Nogo事件相关电位检测,可为ADHD患儿的诊断提供客观依据。