一种新型的具有角度限制的电子束投影曝光技术

具有角度限制的电子束投影曝光技术有可能成为21世纪最有潜力的纳米光刻技术之一。通过配备缩小投影透镜、掩模承片台、基片工作台和控制用计算机,我们将一台透射电子显微镜(TEM)改造成一台用于电子束投影曝光的试验装置。利用这台装置完成了有关掩模性能、电子光学特性和图形对准的一系列实验,同时取得了最细线宽为78nm的抗蚀剂图形。

PREVAIL——下一代电子束投影曝光技术

PREVAIL作为下一代电子束投影曝光技术 ,采用可变轴浸没透镜 ,对以硅为支架的碳化硅薄膜进行投影微缩曝光。在 1mm2 子场的情况下 ,运用步进扫描曝光方式 ,在 1 0 0nm临界尺寸下具有较高的产量 ,与EUVL技术一起成为下一代曝光技术的有力竞争者。

电子束投影曝光装置实验结果分析

主要介绍了电子束缩小投影曝光机的工作原理及其特点 ,针对在原理论证机上做的实验 。

亚半微米投影曝光机的逐场调焦调平技术

介绍用于亚半微米分步重复投影曝光机的ＰＳＤ调焦调平、激光干涉调焦调平、多点高度测量传感和单光路多点检测等逐场调焦调平技术，较详细地阐述各技术原理、组成及能达到的精度，分析各种方法的优缺点和主要实用范围，为自主研制亚半微米分步重复投影曝光机的逐场调焦调平系统提供了参考方案。

584A投影曝光机的光学系统

介绍白俄罗斯Ｐｌａｎａｒ联合体生产的５８４Ａ投影曝光机的光学系统，剖析其工作原理，并对如何应用提出了建议。

电子束缩小投影曝光系统的掩模研究

介绍了用于电子束投影曝光系统中薄膜加散射体掩模的制备。

电子束缩小投影曝光机对准模拟软件设计

文章介绍了对准技术,设计出用于电子束缩小投影曝光机的标记对准模拟软件,阐述其数学模型和算法设计,并模拟出标记对准的背散射信号。

电子束缩小投影曝光机对准模拟软件应用

介绍了用于电子束缩小投影曝光机的标记对准模拟软件及标记图形 ,模拟出标记对准的背散射信号 ,并与实际实验信号图形进行了对比。

投影曝光系统水凝胶齿轮结构制造及其动力学仿真

搭建一套基于投影曝光的微立体光刻系统,成功制备了聚乙二醇丙烯酸酯(PEGDA)水凝胶材料的齿轮微结构。在分析材料特性及微结构流体动力学原理的基础上,利用COMSOL Multiphysics软件进行了水凝胶微齿轮的建模与仿真,验证水凝胶材料的可打印性和结构稳定性,完成水凝胶的个性图案化定制加工。

大型投影曝光机及配套感光胶

目前,制作大型广告牌的方法主要是大型网印和彩色喷绘.印量较大的广告还是多采用网印工艺.大型网印中,晒制大幅面网版是关键技术,其中,利用大型投影曝光制版设备制作大型丝网印版,是一种简单、经济的网印制版方法.

X射线缩小投影曝光技术的现状和课题

1.前言从1970年开始生产1kbit DRAM以来,其集成度以每三年四倍的速度递增.预计到2000年将生产1Gbit的DRAM。图1是每年蚀刻技术状况的变化图.从技术角度来看,目前已从等倍蚀刻过渡到缩小蚀刻.其光源的波长已从G线(436nm)过渡到Ⅰ线(365nm),正在探索KrF(248nm)的短波长化。

新照明系统的高分辨率光刻——采用斜入射照明和瞳面滤波器的投影曝光法

１前言目前半导体ＩＣ中的最小特征尺寸已与光刻用的光波长非常接近，根据公式Ｒ＝Ｋ１λ／ＮＡ，要使加工尺寸进一步微细化，必须使波长再缩短，或者使光学透镜的数值孔径ＮＡ增大，或提高抗蚀剂的性能。过去曾把增大ＮＡ作为提高分辨率的主要方向，但根据ＤＯＦ＝Ｋ２λ...

用于步进投影曝光机的自动聚焦跟踪系统

本文叙述了一种用于直接片子步进机的聚焦跟踪系统的实验过程。并通过计算机模拟运算解释了传感器的制造误差。投影透镜的聚焦条件是通过自动检测固定在与中间掩模平面共轭的一个平面上的测试光栅反射投影象的反差来确定的。为能使敏感的其连续自动跟踪,测试光栅利用固体光发光二极管发射的红光照明,以防止对紫外光抗蚀剂曝光。反差检测仪用一对按栅窗排列的大面积硅光二极管组成,以观察测试光栅间距与条栅互补的投影场。用于这些试验的投影镜头是一个数值孔径为0.95的40倍显徽物镜。已发现其聚焦焦深的检测范围大于1.6微米,且聚焦灵敏度优于0.1微米。

大面积激光投影成像曝光技术

介绍了大面积激光投影成像曝光系统的构成和工作过程,阐述了其中的关键核心技术如激光照明光学技术、折叠投影光学技术、大面积扫描技术和光学自动对准技术,分析了光学系统的参数、配置以及光路设计等存在的问题,对大面积扫描中的无接缝误差和自动对准中的高精度检测定位等技术上的解决办法作了有益的探讨。

缩小投影电子束曝光系统的成像反差

结合原理说明了理想条件下的照明束与角度限制光阑可获得最佳成像反差 。

亚半微米投影光刻的自动对准技术

主要介绍了国外用于生产型亚半微米分步投影曝光机的几种自动对准技术。通过分析对比，指出了相位光栅自动对准技术是我所研制下一代分步曝光机最具吸引力的方案。

光刻机曝光技术演进

1 引言目前,集成电路已经从60年代的每个芯片上仅几十个器件发展到现在的每个芯片上可包含约10亿个器件,其增长过程遵从一个我们称之为摩尔定律的规律,即集成度每3年提高4倍。这一增长速度不仅导致了半导体市场在过去30年中以平均每年约15%的速度增长,而且对现代经济、国防和社会也产生了巨大的影响。

X射线光刻技术的进展及问题

Ｘ射线光刻是一种能满足下世纪初超大规模集成电路（ＶＬＳＩ）生产的深亚微米图形加工技术。论述了这种光刻技术的发展历史及近年来的主要进展。重点讨论了在Ｘ射线源、接近式曝光和全反射投影曝光等方面取得的成就与存在的问题。