Si( 31 3)表面电子结构特性的理论研究

利用形式散射理论的格林函数方法及紧束缚最近邻近似下的 sp3s模型 ,首次计算了半导体 Si的(31 3)高指数表面的表面电子结构 .采用层轨道表象及表面投影技术 ,给出了 (31 3)表面在二维布里渊区高对称点的波矢可分辨的电子态密度和表面投影能带结构 .计算结果表明 :(31 3)表面在-1 0 e V到 +2 e V的能区内存在 6个主要的表面态 .在此基础上讨论了各表面态的色散特性。