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题名一种抗负压和抗共模噪声的全集成GaN电平位移电路
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作者
张永瑜
叶自凯
石佳伟
秦尧
明鑫
王卓
张波
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机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
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出处
《微电子学》
CAS
北大核心
2023年第1期55-60,共6页
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基金
国家自然科学基金资助项目(61974019)
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文摘
设计了一种基于全集成GaN工艺平台,具有抗负压、抗共模噪声的电平位移电路。相较于传统的电平位移电路,通过电路设计将驱动部分的低电压域同高侧部分电路的低电压域保持一致,实现了抗负压的功能。除此之外,针对半桥驱动开关节点的抬升、下降引起内部电容充放电并导致信号逻辑错误的问题,对高侧部分电路进行设计,实现了抗共模噪声的能力。在200 V GaN工艺下,电平位移电路将0~6 V的输入信号转换至200~206 V。仿真结果表明,该电平位移电路的上升传输延时为4.74 ns,下降传输延时为4.11 ns,抗开关节点负压为-4 V,具有100 V/ns共模噪声抑制能力。
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关键词
全集成GaN电路
电平位移电路
抗负压
抗共模噪声
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Keywords
fully integrated GaN circuit
level shifter
negative rail compatibility
common mode noise immunity
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分类号
TN432
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名一种高速、高共模噪声抗扰的电平位移电路
被引量:3
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作者
张春奇
胡黎
潘溯
冯旭东
张宣
明鑫
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机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
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出处
《电子与封装》
2019年第6期12-15,28,共5页
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基金
国家重点研发计划(2017YFB0402800)
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文摘
介绍了一种应用于GaN驱动的0.35μm HV CMOS工艺的高速、高共模噪声抗扰的电平位移电路。该电路采用高速电流镜和双锁存结构,并增加共模抗扰辅助电路,大大提高了传输速度和对共模噪声的抗扰能力。该高速、高共模噪声抗扰的电平位移电路主要用于驱动增强型GaN的高压半桥栅驱动。仿真结果显示该电平位移电路上升沿传输延时1.03 ns,下降沿传输延时1.15 ns,可承受GaN高压半桥栅驱动开关节点SW处电压浮动50 V/ns。
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关键词
电平位移电路
高速、高共模噪声抗扰
增强型GaN
高压半桥栅驱动
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Keywords
level shifter
high-speed and high-noise-immunity
enhanced GaN
high-voltage half-bridge drive
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分类号
TN402
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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