溶胶-凝胶法制备SiO_2-TiO_2复合薄膜的抗刻蚀能力研究

采用Sol－Gel工艺制备SiO_2－TiO_2复合薄膜，研究在不同温度下薄膜对HF缓冲溶液的刻蚀能力．薄膜经800℃热处理的刻蚀速率是200℃热处理的1／1000倍，利用这种差异，在薄膜上用激光进行致密化处理，从而形成所需的图形．由XRD和FT－IR光谱分析对造成这种刻蚀能力差异的原因进行了解释、讨论．显微Raman光谱揭示出薄膜经激光处理后，其致密化区域具有不同的晶化特征．说明激光光束的能量分布对其扫描区域的析晶分布有一定的对应关系．

金属基极紫外光刻胶

由于具有光源波长短(13.5 nm)、图案化分辨率高等优点,极紫外(extreme ultraviolet,EUV)光刻技术被认为是突破5 nm甚至是3 nm半导体芯片制程节点的关键技术,与之相对应的EUV光刻胶研发广受关注。但传统的基于聚合物体系的化学放大光刻胶(chemical amplified resist,CAR)因尺寸过大、对EUV吸收低,限制了其在EUV光刻技术的应用进程。部分含有d轨道电子的金属元素具有高的EUV吸收截面,在光刻胶分子中引入这些金属元素可以有效提高对EUV的灵敏度。通过分子设计制备尺寸小、EUV吸收高的金属基光刻胶材料是解决EUV光刻胶服役性能问题的有效途径,已得到了广泛的研究。本文按金属氧簇(MOCs)、金属氧化物纳米粒子(NP)、金属-有机小分子(MORE)进行分类,对目前国内外的EUV光刻胶研究进展进行总结,并对EUV光刻胶未来所面临的机遇和挑战进行了展望。