抗反射条定域再结晶方法在SOI技术中的应用

对Si_3N_4/SiO_2/Si多层膜系统对Ar^+激光的反射率进行了模型计算,设计了各种结构的抗反射条并且用CW—Ar^+激光对两种结构进行了再结晶实验研究。通过实验,确定了最佳的抗反射膜结构和条宽。用这种结构可以很好地将晶界限制在低反射区。实验结果支持了计算模型和设计。在设定的区域(500μm×300μm)范围内可以得到无晶界的条形薄膜(由光刻决定条的位置)。把MOSFET的栅区制作在膜的无晶介条上,测量得到表面电子和空穴迁移率分别为(μ-)_n=630cm^2/V·S·(μ-)_p=143cm^2/V·S;NMOS与PMOS管单位沟道宽度的沟道漏电流分别为I_n=3.3pA/μm,I_p=0.067pA/μm。