中药抗呆Ⅰ号对体外模拟脑缺血再灌注损伤大脑皮质神经元的保护作用(英文)

目的:观察体外培养的大鼠大脑皮层神经元在模拟脑缺血再灌注后的变化以及中药抗呆Ⅰ号的影响。方法:先对分离纯化培养的大脑皮层神经元进行体外模拟脑缺血再灌注损伤模型的建立,然后采用MTT法测定神经元的活性和存活率,用台盼蓝染色法测定其死亡率,用比色法测定乳酸脱氢酶(LDH)的漏出率,用组化染色法测定一氧化氮合成酶(NOS)的活性。结果:体外培养的大鼠大脑皮层神经元随缺血和再灌注时间的延长细胞的活性和存活率逐渐下降、死亡率逐渐升高、培养液中LDH的漏出率逐渐升高、细胞NOS表达强阳性细胞数在缺血4h(34.6±3.847)和再灌3h(20.6±3.362)时显著增高。模型组与正常组相比,差异有非常显著性意义(t=13.236,8.038,P<0.01)。抗呆Ⅰ号可影响其上述指标的变化。结论:抗呆Ⅰ号可能通过防止氧化磷酸化脱耦联而保护线粒体、防止脂质过氧化及通透性增加而保护细胞膜、抑制NOS活性的反应性增强而防止一氧化氮(NO)及其衍生的毒性自由基的损伤等途径而发挥对神经元的保护作用。

抗呆Ⅰ号对体外模拟脑缺血星形胶质细胞BDNF及bFGF动态变化影响的实验研究

目的 :本文用免疫组化的方法研究了体外缺氧缺糖模拟脑缺血再灌星形胶质细胞表达脑源形神经生长因子 (BDNF)及神经生长因子 (bFGF)的动态变化及抗呆Ⅰ号的干预作用。方法 :实验用出生 2～ 3d的大鼠的大脑皮层胶质细胞进行分离培养 ,建立缺氧缺糖星形胶质细胞损伤模型 ,实验分为正常对照组、模型组 (即缺氧缺糖组 )及抗呆Ⅰ号组。结果 :bFGF在各组均有表达 ,尤以缺血再灌组表达最强 ;BDNF在各组均仅有轻度表达。结论 :体外模拟脑缺血再灌后星形胶质细胞反应性胶质化 ,不同程度地表达BDNF和bFGF ,两者可降低星形胶质细胞本身的损伤 ,进而可能促进神经元的修复。

抗呆Ⅰ号对体外模拟脑缺血再灌注损伤海马神经元凋亡调控基因表达的影响

采用免疫细胞化学法 ,观察体外模拟脑缺血再灌注损伤对原代培养海马神经元凋亡调控基因bcl 2和bax的表达及抗呆Ⅰ号 (由天麻素等中药提取物组成 )的影响。结果发现 ,脑缺血再灌注损伤可引起海马神经元bcl 2表达减少和bax表达增加 ,抗呆Ⅰ号可上调神经元bcl 2的表达和下调bax的表达 ,表明抗呆Ⅰ号能通过调节缺血再灌注损伤神经元凋亡调控基因的表达 ,对缺血再灌注损伤神经细胞起到一定的保护作用。

抗呆Ⅰ号对脑缺血再灌注小鼠海马星形胶质细胞GFAP表达的影响

应用免疫组织化学方法探讨抗呆Ⅰ号对小鼠前脑缺血再灌注损伤后海马星形胶质细胞表达GFAP动态变化的影响,其与缺血性神经元的联系。结果显示:前脑缺血再灌注1d只有少数星形胶质细胞表达GFAP,再灌注3d表达GFAP的阳性细胞数增加,再灌注7～10d表达GFAP的阳性细胞数达到高峰,同时,可见细胞反应性胶质化特征,前脑缺血再灌注15dGFAP阳性反应细胞数仍维持在较高水平。用药组GFAP的表达细胞数较模型组明显减少。而正常对照组和假手术组只有少数星形胶质细胞表达GFAP。且星形胶质细胞表达GFAP的强弱与神经细胞的存亡有关。说明前脑缺血再灌注后海马反应性星形胶质细胞表达。GFAP呈动态变化,抗呆Ⅰ号对缺血再灌注损伤星形胶质细胞和神经细胞有良好的保护作用。

中药抗呆Ⅰ号对体外模拟脑缺血再灌注损伤大鼠大脑皮层神经元的保护作用

目的 观察中药抗呆Ⅰ号对体外模拟脑缺血再灌注损伤大鼠大脑皮层神经元的保护作用。方法 体外培养的大鼠大脑皮层神经元 ,模拟脑缺血再灌注损伤中缺血 4h及再灌 3、1 8、2 4、4 8、72h ,观察其活性、存活率、死亡率、乳酸脱氢酶 (LDH)的漏出率和一氧化氮合成酶 (NOS)的活性变化以及中药抗呆Ⅰ号的影响。结果 体外培养的大鼠大脑皮层神经元随缺血和再灌注时间的延长 ,细胞存活率逐渐下降、死亡率逐渐升高、培养液中LDH的漏出率逐渐升高 ,细胞NOS的活性在缺血 4h和再灌 3h时显著增高。抗呆Ⅰ号可影响其上述指标的变化。结论 抗呆Ⅰ号可能通过防止氧化磷酸化脱偶联而保护线粒体 ,防止脂质过氧化及通透性增加而保护细胞膜 ,抑制NOS活性的反应性增强而防止NO及其衍生的毒性自由基的损伤等 。

星形胶质细胞培养液及抗呆Ⅰ号对模拟损伤神经元的影响

目的 探讨体外模拟脑缺血再灌注损伤条件下星形胶质细胞条件培养液(ACM)、经抗呆Ⅰ号作用的星形胶质细胞条件培养液(ACMK)及ACM与抗呆Ⅰ号联合应用(ACM+K)对损伤神经元的影响。方法 先分别进行大鼠大脑皮质星形胶质细胞(Ast)和神经元的分离纯化培养及体外模拟脑缺血再灌注损伤模型的建立,然后用再灌18 h后收集的ACM、ACMK和ACM+K以1∶5的浓度来培养损伤后的神经元,最后测定其神经元的活性、存活率、死亡率、培养液乳酸脱氢酶(LDH)的漏出率和NOS强阳性细胞的表达量。结果 ACM、ACMK和ACM+K均能使脑缺血再灌注损伤后神经元的活性和存活率明显提高,使死亡率、细胞培养液LDH的漏出率和NOS强阳性细胞的表达量显著降低,其作用 ACMK>ACM+K>ACM。结论 ①经体外模拟脑缺血再灌注损伤的神经元呈损伤→代偿→再损伤→恢复的时相变化;②ACM对受损的神经元具有重要的保护和修复作用;③Ast在脑缺血预适应(BIP)中发挥重要的作用;④抗呆Ⅰ号可通过Ast间接地保护和修复受损的神经元。

抗呆I号对体外模拟脑缺血再灌注损伤星形胶质细胞的影响

目的:观察体外培养的大鼠大脑皮质星形胶质细胞在模拟脑缺血再灌注损伤中的活性、存活率和无血清条件培养液蛋白含量的变化以及中药抗呆Ⅰ号的影响。方法:先对分离纯化培养的星形胶质细胞进行体外模拟脑缺血再灌注损伤模型的建立,然后采用MTT法对星形胶质细胞的活性和存活率进行测定以及用Bradform法对星形胶质细胞条件培养液中蛋白质含量进行测定。结果:体外培养的大鼠大脑皮质星形胶质细胞在体外模拟脑缺血再灌注损伤中的活性、存活率、无血清条件培养液蛋白含量的变化具有一定的规律性,可分细胞损伤期、功能代偿期、功能低下期和功能恢复期。抗呆Ⅰ号可使受损的星形胶质细胞的活性明显增强(与模型组相比多数时间点比较(t=2.074,P<0.05)。存活率显著提高(与模型组相比多数时间点P<0.05,t>2.219),使其条件培养液中的蛋白含量迅速增高(与模型组相比多数时间点,t>5.087,P<0.001)。结论:抗呆Ⅰ号可能通过保护星形胶质细胞免受损伤或使其分泌功能增强,从而间接地发挥星形胶质细胞对神经元的保护和修复作用。