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SOI抗总剂量辐射加固工艺栅氧可靠性研究
被引量:
3
1
作者
高向东
吴建伟
+1 位作者
刘国柱
周淼
《电子与封装》
2012年第8期44-48,共5页
文章对采用了埋层二氧化硅抗总剂量加固工艺技术的SOI器件栅氧可靠性进行研究,比较了干法氧化和湿法氧化工艺的栅氧击穿电荷,干法氧化的栅氧质量劣于湿法氧化。采用更敏感的12.5nm干法氧化栅氧工艺条件,对比采用抗总剂量辐射加固工艺前...
文章对采用了埋层二氧化硅抗总剂量加固工艺技术的SOI器件栅氧可靠性进行研究,比较了干法氧化和湿法氧化工艺的栅氧击穿电荷,干法氧化的栅氧质量劣于湿法氧化。采用更敏感的12.5nm干法氧化栅氧工艺条件,对比采用抗总剂量辐射加固工艺前后的栅氧可靠性。抗总剂量辐射加固工艺降低了栅氧的击穿电压和击穿时间。最后通过恒压法表征加固工艺的栅氧介质随时间击穿(TDDB)的可靠性,结果显示抗总剂量辐射加固工艺的12.5nm栅氧在常温5.5V工作电压下TDDB寿命远大于10年,满足SOI抗总剂量辐射加固工艺对栅氧可靠性的需求。
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关键词
SOI
抗总剂量辐射
加固
栅氧
可靠性
QBD
TBD
VBD
TDDB
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职称材料
一种抗总剂量辐射带隙基准电压源
被引量:
2
2
作者
胡永菲
王忠焰
+2 位作者
杨洋
杜宇彬
刘虹宏
《微电子学》
CAS
北大核心
2022年第4期562-565,共4页
设计了一种标准CMOS工艺下抗总剂量辐射(TID)的带隙基准电压源。分析了传统结构在辐射环境下的固有缺陷。利用二极管正向导通电压受电流影响较小的特性,提高了带隙基准电压源的抗总剂量辐射能力。该基准电压源包含启动电路、基准核和自...
设计了一种标准CMOS工艺下抗总剂量辐射(TID)的带隙基准电压源。分析了传统结构在辐射环境下的固有缺陷。利用二极管正向导通电压受电流影响较小的特性,提高了带隙基准电压源的抗总剂量辐射能力。该基准电压源包含启动电路、基准核和自偏置电路。将基准电压源用于12位100 kS/s采样率A/D转换器的一个单元,进行了流片和测试。结果表明,经总剂量辐射试验后,该基准电压源的输出电压变化较小。在-55℃~125℃范围内,辐射前的温度系数为1.53×10^(-5)/℃,辐射后的温度系数为1.71×10^(-5)/℃。
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关键词
带隙基准源
抗总剂量辐射
二极管
自偏置
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职称材料
0.35μm部分耗尽SOI NMOSFET的总剂量辐射效应与偏置状态的关系
3
作者
唐威
刘佑宝
+1 位作者
耿增建
吴龙胜
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第8期1031-1036,共6页
研究了深亚微米部分耗尽型SOI NMOSFET的抗总剂量辐射特性,主要讨论不同偏置状态对器件抗总剂量辐射性能的影响及其原因。通过器件模拟发现,辐射过程中的不同偏置状态使器件的电场分布差异很大,而器件埋层中俘获空穴的分布与电场密切相...
研究了深亚微米部分耗尽型SOI NMOSFET的抗总剂量辐射特性,主要讨论不同偏置状态对器件抗总剂量辐射性能的影响及其原因。通过器件模拟发现,辐射过程中的不同偏置状态使器件的电场分布差异很大,而器件埋层中俘获空穴的分布与电场密切相关,进而对器件产生不同的影响。模拟结果表明,器件在关态偏置下,背沟道附近陷获电荷密度最高,引起的阈值电压负向漂移和泄漏电流最大,即该偏置状态为浮体器件抗总剂量辐射的最劣偏置状态。
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关键词
SOI
抗总剂量辐射
部分耗尽
俘获电荷
背沟道反型
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职称材料
抗辐射SOI器件栅氧可靠性研究
被引量:
1
4
作者
吴建伟
谢儒彬
+1 位作者
顾祥
刘国柱
《电子与封装》
2014年第7期40-43,共4页
对抗辐射SOI器件栅氧可靠性进行研究,比较了体硅器件、SOI器件、抗总剂量加固SOI器件的栅氧可靠性,发现SOI材料片的制备与抗总剂量加固过程中的离子注入工艺都会对顶层硅膜造成影响,进而影响栅氧可靠性。最后通过恒压应力法表征栅氧介...
对抗辐射SOI器件栅氧可靠性进行研究,比较了体硅器件、SOI器件、抗总剂量加固SOI器件的栅氧可靠性,发现SOI材料片的制备与抗总剂量加固过程中的离子注入工艺都会对顶层硅膜造成影响,进而影响栅氧可靠性。最后通过恒压应力法表征栅氧介质随时间击穿(TDDB)的可靠性,结果显示抗总剂量辐射加固工艺的12.5 nm栅氧在125℃高温5.5 V工作电压下TDDB寿命达到14.65年,满足SOI抗总剂量辐射加固工艺对栅氧可靠性的需求。
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关键词
SOI
抗总剂量辐射
加固
栅氧
可靠性
TDDB
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职称材料
题名
SOI抗总剂量辐射加固工艺栅氧可靠性研究
被引量:
3
1
作者
高向东
吴建伟
刘国柱
周淼
机构
中国电子科技集团公司第
出处
《电子与封装》
2012年第8期44-48,共5页
文摘
文章对采用了埋层二氧化硅抗总剂量加固工艺技术的SOI器件栅氧可靠性进行研究,比较了干法氧化和湿法氧化工艺的栅氧击穿电荷,干法氧化的栅氧质量劣于湿法氧化。采用更敏感的12.5nm干法氧化栅氧工艺条件,对比采用抗总剂量辐射加固工艺前后的栅氧可靠性。抗总剂量辐射加固工艺降低了栅氧的击穿电压和击穿时间。最后通过恒压法表征加固工艺的栅氧介质随时间击穿(TDDB)的可靠性,结果显示抗总剂量辐射加固工艺的12.5nm栅氧在常温5.5V工作电压下TDDB寿命远大于10年,满足SOI抗总剂量辐射加固工艺对栅氧可靠性的需求。
关键词
SOI
抗总剂量辐射
加固
栅氧
可靠性
QBD
TBD
VBD
TDDB
Keywords
SOI
radiation-hard
gate oxide
reliability
QBD
tBD
VBD
TDDB
分类号
TN306 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
一种抗总剂量辐射带隙基准电压源
被引量:
2
2
作者
胡永菲
王忠焰
杨洋
杜宇彬
刘虹宏
机构
中国电子科技集团公司第二十四研究所
出处
《微电子学》
CAS
北大核心
2022年第4期562-565,共4页
基金
模拟集成电路国家级重点实验室基金资助项目(6142802011503)。
文摘
设计了一种标准CMOS工艺下抗总剂量辐射(TID)的带隙基准电压源。分析了传统结构在辐射环境下的固有缺陷。利用二极管正向导通电压受电流影响较小的特性,提高了带隙基准电压源的抗总剂量辐射能力。该基准电压源包含启动电路、基准核和自偏置电路。将基准电压源用于12位100 kS/s采样率A/D转换器的一个单元,进行了流片和测试。结果表明,经总剂量辐射试验后,该基准电压源的输出电压变化较小。在-55℃~125℃范围内,辐射前的温度系数为1.53×10^(-5)/℃,辐射后的温度系数为1.71×10^(-5)/℃。
关键词
带隙基准源
抗总剂量辐射
二极管
自偏置
Keywords
bandgap reference source
anti-TID radiation
diode
self-bias
分类号
TN792 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
0.35μm部分耗尽SOI NMOSFET的总剂量辐射效应与偏置状态的关系
3
作者
唐威
刘佑宝
耿增建
吴龙胜
机构
西安微电子技术研究所
出处
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第8期1031-1036,共6页
文摘
研究了深亚微米部分耗尽型SOI NMOSFET的抗总剂量辐射特性,主要讨论不同偏置状态对器件抗总剂量辐射性能的影响及其原因。通过器件模拟发现,辐射过程中的不同偏置状态使器件的电场分布差异很大,而器件埋层中俘获空穴的分布与电场密切相关,进而对器件产生不同的影响。模拟结果表明,器件在关态偏置下,背沟道附近陷获电荷密度最高,引起的阈值电压负向漂移和泄漏电流最大,即该偏置状态为浮体器件抗总剂量辐射的最劣偏置状态。
关键词
SOI
抗总剂量辐射
部分耗尽
俘获电荷
背沟道反型
Keywords
SOI, total dose irradiation, partially depleted, trapped charge, back channel inversion
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
抗辐射SOI器件栅氧可靠性研究
被引量:
1
4
作者
吴建伟
谢儒彬
顾祥
刘国柱
机构
中国电子科技集团公司第
出处
《电子与封装》
2014年第7期40-43,共4页
文摘
对抗辐射SOI器件栅氧可靠性进行研究,比较了体硅器件、SOI器件、抗总剂量加固SOI器件的栅氧可靠性,发现SOI材料片的制备与抗总剂量加固过程中的离子注入工艺都会对顶层硅膜造成影响,进而影响栅氧可靠性。最后通过恒压应力法表征栅氧介质随时间击穿(TDDB)的可靠性,结果显示抗总剂量辐射加固工艺的12.5 nm栅氧在125℃高温5.5 V工作电压下TDDB寿命达到14.65年,满足SOI抗总剂量辐射加固工艺对栅氧可靠性的需求。
关键词
SOI
抗总剂量辐射
加固
栅氧
可靠性
TDDB
Keywords
SOI
radiation-hardened
gate oxide
reliability
TDDB
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
SOI抗总剂量辐射加固工艺栅氧可靠性研究
高向东
吴建伟
刘国柱
周淼
《电子与封装》
2012
3
下载PDF
职称材料
2
一种抗总剂量辐射带隙基准电压源
胡永菲
王忠焰
杨洋
杜宇彬
刘虹宏
《微电子学》
CAS
北大核心
2022
2
下载PDF
职称材料
3
0.35μm部分耗尽SOI NMOSFET的总剂量辐射效应与偏置状态的关系
唐威
刘佑宝
耿增建
吴龙胜
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010
0
下载PDF
职称材料
4
抗辐射SOI器件栅氧可靠性研究
吴建伟
谢儒彬
顾祥
刘国柱
《电子与封装》
2014
1
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职称材料
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