提高半导体放电管抗浪涌能力的研究

半导体放电管是新一代抗浪涌保护器件，抗浪涌能力是其最重要的特性参数之一。文中分析了浪涌条件下器件失效的高温物理机制，讨论了器件功耗与传热对抗浪涌能力的影响，指出采用多元胞结构可降低由热量集中造成的最高结温，从而提高了器件的抗浪涌能力。

玻璃钝化技术对半导体放电管抗浪涌能力的影响

半导体放电管是新一代抗浪涌保护器件,极间电容是其应用到高频环境下的一个限制因素。文章从半导体放电管的基本结构出发,介绍了用玻璃钝化技术去除放电管侧壁电容的方法。理论分析表明,在没有采用玻璃钝化技术时,流过放电管结底部的电流大于流过其侧壁的电流,因此,采用玻璃钝化技术对半导体放电管的抗浪涌能力影响不大。

星载继电器抗浪涌能力研究

空间飞行器继电器在使用实际过程中,触点后端通常会接有滤波电容,在触点闭合供电接通时,会产生瞬态大电流超出继电器触点的额定带载能力,对继电器的触点会产生损伤,影响使用寿命。本文对继电器触点抗浪涌进行了验证试验,对继电器触点在承载浪涌电流情况下的触点损伤情况进行分析,以得出继电器触点的抗浪涌能力。

4H-SiC基MPS二极管迅回效应分析

为优化二极管抗浪涌电流能力及正向特性,针对器件工艺参数对迅回效应的影响进行了研究。采用建模仿真对比不同参数下的器件正向特性,分别对P+区和漂移区的掺杂浓度以及P+区宽度3个方面进行讨论。提取在迅回效应过程中器件的正向偏置处于转折与折回电压时漂移区内空穴的分布,进而细化研究该效应的产生过程机理。仿真结果表明,增加P+区的掺杂浓度与宽度可以有效抑制迅回效应,较高的漂移区掺杂浓度会增加器件在单极工作模式下的电流密度,但同时增大转折电压可使迅回效应加剧,适当减小漂移区掺杂浓度可以抑制迅回效应。

一种复合保护装置的特性研究

复合保护器是一种新型电子元器件，在过温和过流的情况下，都可以切断电路，保护其他元器件。复合保护器有很好的熔断特性和抗浪涌能力，很小体积和便宜的价格，将会应用到更多的领域中。

KS200A/1200V双向晶闸管

沈阳自动控制研究设计院研制的KS200A/1200V双向晶闸管于1992年12月通过了沈阳市机械工业管理局组织的鉴定。该产品在研制过程中采用了较先进的化学减薄、双面光刻、烧结工艺。同时为了提高触发灵敏度和换向能力独创了双向挖槽工艺和选择电子辐照工艺,这样使产品的参数稳定、一致性好、抗浪涌能力强,换向能力高,可达200V/μs,居国内先进水平。