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低光照和抗晕CCD的设计和制作
被引量:
2
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作者
张坤
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第2期91-93,96,共4页
针对帧转移可见光CCD低光照响应、抗电晕能力和动态范围,较详细讨论了CCD光响应灵敏度、动态范围和抗电晕的设计与计算。设计的具有抗晕功能CCD,采用2μm工艺制作,达到了设计技术指标要求,满足了工程应用需求。
关键词
CCD
抗电晕能力
低光照响应
测试
制造工艺
下载PDF
职称材料
题名
低光照和抗晕CCD的设计和制作
被引量:
2
1
作者
张坤
机构
重庆光电技术研究所
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第2期91-93,96,共4页
文摘
针对帧转移可见光CCD低光照响应、抗电晕能力和动态范围,较详细讨论了CCD光响应灵敏度、动态范围和抗电晕的设计与计算。设计的具有抗晕功能CCD,采用2μm工艺制作,达到了设计技术指标要求,满足了工程应用需求。
关键词
CCD
抗电晕能力
低光照响应
测试
制造工艺
Keywords
CCD
low visible light
antiblooming
分类号
TN386.5 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
低光照和抗晕CCD的设计和制作
张坤
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2003
2
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