抗磁性的经典模型与计算

文章在经典物理范畴内,基于感生电场、电子轨道磁矩的进动以及洛仑兹力的共同作用,给出了抗磁性自洽而普遍性的解释,得出抗磁性物质中轨道电子产生的附加磁矩,与量子理论的结论一致,并就相关问题进行了讨论。

拉莫尔进动解释抗磁性和磁致旋光效应

拉莫尔进动是电磁学中一个非常重要的知识点.本文首先利用拉莫尔进动解释了物质的抗磁性,并通过比较,总结了利用拉莫尔进动解释抗磁性相比于其他解释方法的优点.另外,对磁致旋光效应的经典解释进行了介绍.

关于磁介质的抗磁性机理

本文从物质磁性的基本起源“分子电流”出发 ,通过分析电子在外磁场中的旋进 ,严格分析了磁介质的抗磁性的微观机理 .

与运动平面垂直的外磁场对电子运动的影响及抗磁性新解释

应用经典物理学中的涡旋电场力、静电力和洛伦兹力,通过解析分析和数值计算的方法,在外磁场与电子运动形成的等效磁矩平行和反平行2种条件下,证明了有外磁场时电子不再做闭合的曲线运动,基于其运动半径不变的所有认识都值得商榷。在通常外磁场条件下,发现了电子到核距离的变化规律以及其运动规律的近似解析表达式,得到了抗磁性的定量表达式。同时,还提出了"联合电磁感应和静电力、洛伦兹力进行抗磁性解释",完善了对物质抗磁性的理解。

基于永磁体的抗磁性材料磁流变抛光装置研究

针对现有磁流变抛光技术的加工精度难以提高,加工过程中抛光热不容易控制等问题,对磁流变抛光工艺,以及抗磁性材料工件在抛光过程中的工作间隙的磁通量密度进行了研究。对永磁体抛光刀具刀尖表面模型,以及铜合金工件表面之间的关系和模型进行了归纳,提出了一种基于永磁体的抗磁性材料磁流变抛光方法;利用Maxwell对抛光装置工作间隙磁通密度进行了仿真,并进行了相关试验。研究结果表明:基于磁流变抛光液,利用永磁体组成的抛光刀具对抗磁性材料工件进行加工,工件表面质量有了明显提高,实现了纳米级别的加工精度。

物质抗磁性和顺磁性的物理机制

抗磁质和顺磁质虽然都是弱磁质 ,但两者在磁化的物理机制上有着本质的不同 .按照朗之万模型 ,根据经典电子论 ,运用统计方法解释了抗磁质和顺磁质的磁化过程 ,并导出相应的磁化率 .

抗磁性物质稳定悬浮的仿真及实验

将四块永磁铁排列成对称磁场。利用静电场与静磁场相似的特点仿真静磁场,证明磁悬浮的可能性。设计并实现磁场中小石墨片稳定悬浮。

从量子力学层面上认识,到大学物理层面上理解顺磁性和抗磁性

大学物理教科书中对物质磁性——顺磁性和抗磁性的机理描述不自洽.顺磁性用原子磁矩沿磁场方向的"倾倒"来解释,抗磁性用电子磁矩的"旋进"来解释.同样都是磁矩,为什么却有不同的行为呢?显然不能令人信服.本文将从量子力学角度给出两种磁性的来源,从中可以看出,顺磁和抗磁在量子力学的哈密顿量中正好是磁相互作用的展开项中的两项,这两项可以同时存在,也可以只有抗磁性,这取决于原子壳层的电子分布.在保持与量子力学一致的情况下,如何在大学物理层面上理解顺磁性和抗磁性?

抗磁性的几种经典解释

定量地讨论了磁介质的抗磁性 。

磁介质产生抗磁性的微观机理

从物质的电结构理论出发 ,通过分析电子在外磁场中的进动 。

磁介质抗磁性的经典解释

文章从经典物理角度出发,给出了磁介质抗磁性的经典解释方法。得出在外磁场中,抗磁性物质中的电子会产生附加磁矩△Pm→=-e2r2/4mB→0。

LaBaMnO薄膜磁性测量中抗磁性衬底的扣除

在测量抗磁性衬底LaAlO_3上外延生长的磁性薄膜LaBaMnO的磁性时,可从M-H曲线中强磁场部分直接得出衬底的磁化率,从而可在磁性测量的结果中逐点扣除衬底的影响,得到磁性薄膜本身的M—H曲线和M—T曲线。

理想导体与超导抗磁性

通过对理想导体和超导体的电学性质、磁学性质的比较研究,从宏观和微观角度讨论了理想导体的电磁学性质与超导体电磁学性质的差别,对理想导体的存在性给出了证明。指出,理想导体在电学性质上与超导体没有任何差别,在临界状态以下存在着能隙,在临界点发生的是二级相变,存在着比热跃变;理想导体在磁学性质上与超导体的磁学性质是相同的,理想导体的抗磁性与超导体抗磁性起源于同一物理原因—载流子的高速定向运动产生很强的磁场,从而将外磁场排出体外,磁场的产生遵循毕-萨定律和法拉第电磁感应定律,不存在磁通"冻结"的问题(第二类超导体的混合态问题与此有本质的差别,自然应当别论),磁通"冻结"的说法是没有理论根据的,它反映了人类对超导电性认识的偏差;作为存在物,理想导体就是超导体,人们设想的理想导体磁性质,更接近于第二类超导体的混合态,但是在本质上是有差别的;作为理想的"理想导体"是不存在的;剔除理想导体的概念,将会极大地促进超导电性理论的深入研究,促进凝聚态物理理论和实践的发展。

磁性超抗磁性和超导电性

本文主要讨论晶体中磁的对称性,晶体的磁性,超抗磁性和超导电性.

抗磁性磁悬浮装置初探

利用抗磁性物质,可以得到常温下的稳定永磁悬浮,而不需要能量的输入和超导物质的辅助。本文研究了常温下抗磁性无源永磁悬浮的条件,并采用抗磁材料石墨来实现稳定悬浮,成功进行了抗磁性的悬浮实验。本文结合开关磁阻电机的原理,设计出抗磁性悬浮转子高效微型开关磁阻电机装置。

磁介质内抗磁性的起源

介质中的电子在外磁场的作用下,其绕核的轨道运动将发生变化,产生附加磁矩。本文讨论了在不同方向的外磁场作用下,电子的附加磁矩的方向均与磁场方向相反,由此导出介质的杭磁性起源于电子的附加磁矩。

水的抗磁性演示实验

利用磁铁作用于漂浮在水面的纸片和盛水气球,演示了水的抗磁性,并利用全反射研究了水的抗磁性与外磁场的关系.实验结果表明:当磁铁置于水面上方时,磁场作用区域的水面向下凹陷.磁场越强,水面的凹陷程度越大,水的抗磁现象越明显.

抗磁性高密度物质的磁悬浮密度测量方法

为了克服现有磁悬浮密度测量方法存在测量范围小(0.8~2.3g/cm3)的缺点,提出全新的针对抗磁性高密度物质的密度测量方法.该方法将高密度物质通过一定长度的细线悬挂,并将高密度物质置于水平放置的磁悬浮装置中,高密度物质在重力、浮力、拉力和磁力的综合作用下产生横向悬浮位移.在分析顺磁溶液中物质受力情况的基础上,建立物质横向悬浮位移与密度的关联函数关系,基于该函数关系实现高密度物质密度的精确测量.实验结果表明,采用该方法可以测量小尺寸高密度样品(如铜、铝和玻璃等)的密度,测量精度为0.028~0.165g/cm3.随着样品密度的增加,测量偏差呈现增大的趋势.

抗磁性基质中钆（Ⅲ）离子的ESR线宽研究

在１００Ｋ低温下，用实验方法研究了冻结态水溶液中不同种抗磁性基质的浓度变化对Ｇｄ３＋离子ＥＳＲ谱峰线宽的影响．得到了线宽与基质浓度间的拟合关系，对谱线展宽机制和得到窄的ＥＳＲ谱峰的途径进行了讨论．

物质的抗磁性及其磁化机制

物质内的原子处在外磁场中,会因其电子轨道运动的变化而产生抗磁效应。这由楞次定律可作定性的说明,更由法拉第电磁感应定律求出感生的涡旋电场对电子作功而可作定量的解释,以加深对抗磁质的磁化机制的了解。