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用时间-边界跟踪模型确定抗蚀剂显影后的轮廓分布
被引量:
1
1
作者
范建兴
冯伯儒
张锦
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
1997年第6期546-549,共4页
文章提出了时间一边界跟踪模型的定义,阐述了用该模型确定抗蚀剂显影后的轮廓分布的方法,并给出了模拟计算结果.
关键词
抗
蚀
剂
显影
抗蚀剂轮廓
计算机模拟
光刻
下载PDF
职称材料
题名
用时间-边界跟踪模型确定抗蚀剂显影后的轮廓分布
被引量:
1
1
作者
范建兴
冯伯儒
张锦
机构
中国科学院光电技术研究所
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
1997年第6期546-549,共4页
文摘
文章提出了时间一边界跟踪模型的定义,阐述了用该模型确定抗蚀剂显影后的轮廓分布的方法,并给出了模拟计算结果.
关键词
抗
蚀
剂
显影
抗蚀剂轮廓
计算机模拟
光刻
Keywords
Resist development
Resist profile
Computer simulation
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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作者
出处
发文年
被引量
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1
用时间-边界跟踪模型确定抗蚀剂显影后的轮廓分布
范建兴
冯伯儒
张锦
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
1997
1
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引证文献
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