软 X 射线接触式显微术抗蚀膜显影条件分析

按照生物样品各分辨单元具有多种透过率的特点，设计了一个多衬度的台阶状蛋白质模型，模拟各台阶的真实成像条件，测量了各台阶所对应的抗蚀膜显影速率曲线，对显影条件作了定量分析，并将显影条件与分辨率紧密结合起来，找到了一种较好的定量确定显影条件的方法。

对硅片进行无抗蚀膜光化学蚀刻的一种新方法

研究了一种在硅片上进行无抗蚀膜光化学蚀刻的新方法 ,使用过氧化氢 (H2 O2 )和氟酸 (HF)作为光化学媒质 ,使用ArF紫外激光作为光源 ,无需事先加工抗蚀膜 ,可直接在硅表面进行蚀刻。在H2 O2 与HF的浓度比为 1.3时 ,蚀刻效果最佳 ,当激光能量密度为 2 9mJ/cm2 ,照射脉冲数为 10 0 0 0次时 ,得到 2

水性丙烯酸光致抗蚀干膜的合成

采用溶液聚合法合成了水溶性丙烯酸树脂(WBAC),将其与季戊四醇三丙烯酸酯(PETA)、紫外光引发剂调配制备了水性丙烯酸光致抗蚀干膜。傅里叶红外光谱分析表明,PETA和WBAC发生了光固化交联反应;光致抗蚀干膜感光层涂膜性能测试表明,经UV固化后涂膜的凝胶率和硬度能显著提高,改善涂膜的耐溶剂性,降低了涂膜的水溶性;GPC和TG分析表明,经UV固化后,光致抗蚀干膜相对分子质量明显变大,耐热性能显著提高。PETA和WBAC的质量比0.4时,UV固化后光致抗蚀干膜的水溶性5.54%,乙醇失质量率WY为5.56%,凝胶率和摆杆硬度分别为74.18%和0.71,涂膜失质量5%的温度为302.6℃。

光致抗蚀干膜技术及其进展

本文综述了一种非银盐感光材料—光致抗蚀干膜的发展情况,并对它的结构、组成和应用,作了较详细的介绍。作者根据近期的文献资料及掌握的有关情况,对国外光致抗蚀干膜的进展作了分析,并指出我国的发展方向。

抗蚀降解液膜保土性能分析

该研究是针对于降雨条件下水土保持型可降解液膜的作用机理的探索,水土保持型可降解液膜是一种以有机高分子为主要材料合成的新型保水保土覆盖产品。该产品喷施于土壤地表并经固化定型后,将使土壤表面颗粒粘结在一起,进而达到封闭和固定表土和保水的作用。以实现在不对生态环境产生污染的基础上提高林草成活率和生态固埂的长效性,为水土流失易发区综合治理提供一项新的环境友好型化学措施,并推动我国的生态文明建设的进程。

最佳 干膜抗蚀剂 厚度

该文章成文于多年以前,但其中所述的实验方法及结论对于如何选用内层蚀刻干膜仍具有指导意义。该论文中虽仅以干膜作为研究对象,但实际上,不论是干膜还是湿膜,阻剂的厚度越薄,开路的缺点率就会越高。

水系蚀刻聚酰亚胺

以普通丙烯酸光致抗蚀干膜为抗蚀层,采用对该抗蚀层进行二次UV曝光新工艺。分别以1%、4%的四甲基氢氧化铵(TMAH)水溶液为显影液和蚀刻液,实现了不同体系PAA胶膜的水系蚀刻,最终制备出膜厚为20～25μm,蚀刻精度达线宽/线距=60μm/60μm的聚酰亚胺(PI)蚀刻图膜。三乙胺的加入可有效抑制PAA降解,将PAA胶液室温有效存放期从7d以内延长至14d以上,且对化学蚀刻PI蚀刻图膜的力学性能无负面影响。该工艺路线、通用性好,且经济、环保。

高效无卤蚀刻体系对核级304不锈钢表面结构的影响

针对核级304奥氏体不锈钢工件的永久性标识,设计针对不锈钢表面的电化学蚀刻图文标记(深色)体系.研究电解液体系、抗蚀膜层建立对不锈钢蚀刻质量及效果的影响.结果表明:抗蚀膜层能够有效地保护基体在电化学蚀刻过程中不受电解液的影响;选用的无机酸和有机酸两种电解液体系(硝酸盐-磷酸体系和草酸体系)均可在奥氏体不锈钢表面形成黑色、边缘清晰的与基体银白色形成明显对比的标记.以硝酸盐-磷酸体系为例,蚀刻深度在0.01~0.06 mm,达到对蚀刻深度≥0.013 mm的要求,蚀刻槽与基体之间无边缘腐蚀现象.304不锈钢经电化学蚀刻后留在蚀刻槽内的黑色物质,来自电解过程生成的一种复杂的氧化物,以黑色的磁性晶体四氧化三铁为主,呈现出疏松的蜂窝结构.

具有铝基膜的铸造产品及其生产方法

该发明涉及一种具有铝基膜的铸造产品及其生产方法。在节气阀体中，在铝的基底上按顺序堆叠钝化膜和抗蚀膜。钝化膜在其抗蚀膜侧上具有凹部，在凹部中设置金属层。在喷丸处理中，当喷丸材料碰撞抗蚀膜时，一部分喷丸材料分离并附着在生成的凹部上以形成金属层。侧如，选择纯度不低于98％的铝作为喷丸材料。

金属有机硅薄膜(MOSTF)

建议用途： 这种方法可以用来制造金属光阻抗蚀或可刻印膜。膜的脊柱结构含有硅、碳和各类金属。这些光阻抗蚀膜有不同的工业应用，例如制造薄膜磁头，内存储存设备，生物检测鉴定，波的导航，光学与平板技术等等。

干膜选择对夹膜短路的改善

通过对夹膜短路的现象进行分析,确定改善对策,并对改善措施进行跟踪评估。评估结果发现干膜的正确选用对改善夹膜短路产生明显效果,而且能降低总生产成本,提升良品率。

湿膜成像技术微带工艺精度

为更好实现微带电路设计人员设计意图，提高微带片光刻精度，本文介绍了使用新型湿膜抗蚀剂（Wet Film Photoresis)替代干膜抗蚀剂（Dry Film Photoresist)的工艺改进方法；从结构和原理上分析了干膜与湿膜的不同，给出了对比的实验结果；用湿膜可较好做出50－100微米（2－4mil)线条、间隙，明显提高了工艺精度。

光致抗蚀干膜用水溶性丙烯酸树脂的优化合成

以甲基丙烯酸甲酯(MMA)、丙烯酸丁酯(BA)、丙烯酸(AA)为主要原料,合成了应用于水性光致抗蚀干膜的水溶性丙烯酸树脂。采用正交试验法通过GPC、红外、热重分析及拉伸实验研究了引发剂用量、引发剂滴加时间、亲水性功能单体AA的用量、软单体BA的用量、中和度对树脂水溶性,树脂相对分子质量以及漆膜性能的影响。研究表明,优化合成反应条件如下:引发剂质量分数1.4%、引发剂滴加时间3 h、AA单体质量分数30%、BA单体质量分数5%、中和度45%,产物的单体转化率高于95%且能在常温下稳定贮存12个月以上,树脂水溶性达到85%以上;树脂数均分子质量n<45 000且分布系数PD﹤2。树脂漆膜拉伸强度>1.368 MPa,在350℃开始分解直至450℃分解完全。

旭化电子在华扩建干膜抗蚀剂产能苏州厂将成为其最大产地

旭化电子公司（Asahi Kasei）已决定扩大其在中国的生产印制电路板用干膜抗蚀剂产能，扩建项目最早将于2007年实施。该公司是全球顶级干膜抗蚀剂供应商，他在日本富士有干膜抗蚀剂生产经营中心，2003年在中国苏州建成生产装置。

旭化电子在华扩建干膜抗蚀剂产能苏州厂将成为其最大产地

旭化电子公司（Asahi Kasei）已决定扩建其中国印刷电路板用于膜抗蚀剂产能，扩建项目最早将于2007年实施。该公司是全球顶级干膜抗蚀剂供应商，他在日本富士有干膜抗蚀剂生产经营中心，2003年在中国苏州建成生产装置。

软X射线接触式显微术研究

按照生物样品各分辨单元具有多种透过率的特点，设计了一个多衬度的台阶状蛋白质模型，根据曝光量与衬度，信噪比，抗蚀膜性能的关系，确定了曝光量。同时模拟样品模型各台阶的真实成像条件，测量了各台阶所对应的抗蚀膜显影速率曲线，对显影条件作了定量分析。将曝光量，显影条件，与分辨率紧密结合起来，找到了一种较好的实验方法。

亚稳态氦原子束在纳米结构制作中的应用

介绍两种用亚稳态氦原子束制作纳米结构的新方法。亚稳态原子束从原子源喷出后首先对其进行横向激光冷却,准直后的原子束穿过与之垂直的激光驻波场时发生淬火过程,原子的密度分布出现沟道化效应,给出基于光掩模制作纳米图形的基本原理、理论分析及模拟结果。介绍基于物理掩模制作纳米图形的原理和SAM抗蚀剂,利用沉积在基底上的亚稳态原子破坏基底上的SAM膜,结合刻蚀技术可制作出纳米量级的图形。

丙烯酸-丙烯酸酯共聚物的水溶性

利用自由基型溶液聚合的方法 ,合成了二元、三元和四元系列丙烯酸酯共聚物 ,对它们的水溶性进行了研究 ,探讨了分子量、亲水性基团含量及反应条件对共聚物水溶性的影响。