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抗辐射体硅CMOS工艺技术研究
1
作者
陆剑侠
李正孝
+3 位作者
张沈军
许仲德
陶星
袁凯
《微处理机》
1996年第3期17-20,共4页
论述和分析了在抗辐射体硅CMOSI艺制造过程中,栅介质种类、栅氧化层厚度的选择以及氧化层的厚度与半导体器件抗辐射能力的关系。
关键词
CMOS电路
抗辐射加固工艺
硅
下载PDF
职称材料
题名
抗辐射体硅CMOS工艺技术研究
1
作者
陆剑侠
李正孝
张沈军
许仲德
陶星
袁凯
机构
电子工业部东北微电子研究所
出处
《微处理机》
1996年第3期17-20,共4页
文摘
论述和分析了在抗辐射体硅CMOSI艺制造过程中,栅介质种类、栅氧化层厚度的选择以及氧化层的厚度与半导体器件抗辐射能力的关系。
关键词
CMOS电路
抗辐射加固工艺
硅
Keywords
Bulk-silicon CMOS Radiation-Hardeness Gate Dielectric
分类号
TN432.05 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
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题名
作者
出处
发文年
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1
抗辐射体硅CMOS工艺技术研究
陆剑侠
李正孝
张沈军
许仲德
陶星
袁凯
《微处理机》
1996
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