SOI材料与器件的辐照效应

目前，ＳＯＩ（ＳｉｌｉｃｏｎＯｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ）材料的一个主要用途是用来制作抗辐照电路，本文以ＳＩＭＯＸ（ＳｅｐｅｒａｔｉｏｎｂｙＩＭｐｌａｎｔａｔｉｏｎｏｆＯＸｙｇｅｎ）技术为主，详细论述了ＳＯＩ材料和器件（ＭＯＳＦＥＴ）的辐照特性及其机理，包括总剂量、瞬时和单粒子效应，并以总剂量效应为主。经过恰当的加固工艺和优化设计，可以制造出优良的抗辐照集成电路。

中子辐照GaAs快速退火行为的低温光荧光研究

用低温（１０Ｋ）光荧光（ＰＬ）的方法对中子辐照砷化镓中的缺陷及嬗变掺杂进行了研究．结果表明：低温ＰＬ实验可观察到中子嬗变掺杂效应，嬗变掺杂使近导带施主增加从而使与ＣＡｓ有关的跃迁峰向低能移动．辐照剂量较低时，嬗变原子Ｇｅ占居Ｇａ位；当辐照剂量较大时，部分嬗变原子Ｇｅ占居Ａｓ位．在高剂量（１０１７ｎ／ｃｍ２）辐照情况下，经８００℃（２０秒）退火，仍有反位缺陷ＧａＡｓ（ＥＶ＋２００ｍｅＶ）和复合缺陷ＩＧａ－ＶＡｓ存在，在低剂量（１０１４ｎ／ｃｍ２～１０１６ｎ／ｃｍ２）辐照情况下，经此退火过程，未观察到这两种缺陷的ＰＬ峰．