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钇锰离子共掺杂对Ni内电极MLCC介电性能的影响 被引量:4
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作者 陈彩虹 钟建薇 +2 位作者 赖永雄 李基森 吴建青 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期8-10,24,共4页
对具有Y5V特性的BCTZ系抗还原介质材料进行了施主离子(Y3+)和受主离子(Mn2+)共掺杂。以该电介质制备出多层陶瓷电容器,并测试了其介电性能。讨论了Y3+和Mn2+离子共掺杂对Y5V特性的BCTZ系介质材料介电性能的影响。通过施主-受主掺杂,电... 对具有Y5V特性的BCTZ系抗还原介质材料进行了施主离子(Y3+)和受主离子(Mn2+)共掺杂。以该电介质制备出多层陶瓷电容器,并测试了其介电性能。讨论了Y3+和Mn2+离子共掺杂对Y5V特性的BCTZ系介质材料介电性能的影响。通过施主-受主掺杂,电容器的耐压升高,损耗降低,介电常数减小。并且,容量温度系数满足Z5U特性。 展开更多
关键词 多层陶瓷电容器 镍内电极 抗还原电介质 掺杂 介电性能
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