基于低电源电压混频器的设计

提出了一种适用于低电源电压应用的混频器,其核心部分采用开关跨导形式,使得开关器件导通时的有限开态电阻引起的电压降减小到零,并在输出端采用折叠级联输出,降低了负载电阻引起的直流电压降,达到了在低电源电压下应用的目的.在1.3 V的电源电压下,电路仿真结果显示:转换增益为-11.5 dB,噪声系数为20.648 dBm,1 dB压缩点为-5.764 dBm,三阶交调失真点为4.807 dBm.

适用于中国超宽带标准的0.18μm-CMOS单边带混频器设计

基于0.18μm-CMOS工艺设计了一款适用于中国超宽带(UWB)标准的单边带(SSB)混频器。对电流换向型混频器进行分析,提出折叠PMOS跨导级结构使线性度和转换增益得以同时提升,并应用并联峰化技术扩展电路带宽,满足了系统超宽带、高线性度和增益适中的要求。结果表明,在6 GHz～9 GHz范围内,转换增益大于-2 dB且增益平坦,镜像抑制约为90dB,IP-1dB大于0 dBm,IIP3大于10 dBm。电路核心面积0.35 mm×0.65 mm,工作电压为1.8 V,直流电流10.6 mA。

应用于ISM频段的高线性混频器的设计

设计了一种用于ISM频段的正交下变频混频器。在普通的吉尔伯特混频器的基础上,优化电路结构,采用共栅跨作为混频器的导级,同时混频器采用共跨导级正交结构,并利用动态电流注入技术减小噪声和提高混频器的增益。设计采用SMIC 0.18μm CMOS工艺,1.8 V电压供电,仅消耗电流4 m A。仿真结果显示,混频器增益为10.16 d B,1 d B压缩点大约为0 d Bm,噪声系数为10.38 d B,电路性能参数满足预期要求。

适用于中国UWB标准0.18μm CMOS发射机前端研制

基于0.18μm CMOS工艺设计了一款适用于中国超宽带(UWB)标准的发射机前端。该发射机前端通过在片内集成有源巴仑,实现了信号先差分至单端转化、后信号放大的策略,不仅提高了系统集成度而且有利于降低系统功耗。同时,提出折叠PMOS跨导技术使混频器的线性度得以提升,利于增大发射链路中低频放大器的增益比重以减轻高频放大器的压力。最终,对前端电路应用并联峰化技术,满足了系统对带宽的要求。芯片采用COB(chip on board)方式测试,结果表明:射频输出端口在5～11.5 GHz内匹配良好,系统的IP-1dB约为-2 dBm。芯片面积为0.8 mm×1.1 mm,工作电压1.8 V时消耗电流20.4 mA。为中国超宽带(UWB)标准的进一步研究提供了参考。