抛光介质对固结磨料化学机械抛光水晶的影响

在固结磨料化学机械抛光中,工件表面与抛光介质易发生水解反应,产生软化层,而软化层厚度直接影响材料去除速率及表面质量。本文采用显微硬度计测量了不同介质条件下水晶表面的变质层厚度,并基于CP-4研磨抛光平台研究了不同抛光介质及温度对材料去除速率的影响,进而在线测量了抛光过程中声发射信号及抛光垫与工件之间摩擦系数的变化。结果表明:六偏磷酸钠的加入可促进水晶玻璃表层网络结构断裂,软化表层,软化层厚度随着浸泡时间、温度升高而增加,进而提高了水晶玻璃的去除率;而且随着温度升高,水解作用更加明显。实验显示,声发射信号及摩擦系数实时测量对抛光工艺参数的优化具有指导意义。

抛光介质对镁合金化学机械抛光的影响

利用扫描电镜、X射线光电子能谱仪和白光干涉仪研究了碱性抛光液中不同有机溶剂与无机溶剂包括乙二醇、聚乙二醇、去离子水和1%磷酸氢二钠水溶液对镁合金化学机械抛光效果的影响,测试了材料的去除率。结果表明,当采用乙二醇、聚乙二醇等有机溶剂作为抛光液的抛光介质时,能够有效改善镁合金在抛光过程中的点蚀现象,但材料去除率较低;采用去离子水作为抛光介质时,虽然材料去除率较高,但抛光后镁合金表面点蚀现象严重;采用去离子水作为抛光介质并添加1%的缓蚀剂磷酸氢二钠时,能够在保证材料去除率的同时,有效改善镁合金抛光后的表面质量,而且几乎没有点蚀出现。

抛光介质对微波铁氧体基片表面粗糙度及隔离器插损的影响

采用金刚石、氧化铝粉抛光磨料搭配聚氨酯、压缩纤维、阻尼布抛光垫等抛光介质对微波铁氧体基片分别进行抛光工艺实验,对比不同抛光磨料和抛光垫对基片表面粗糙度的影响。结果表明,磨料、抛光垫的类型相同的情况下,磨料粒径越小,抛光后基片表面粗糙度越低;磨料粒径相同的情况下,磨料硬度越高,抛光后基片表面粗糙度越低;相同磨料情况下,抛光垫硬度越高,基片表面粗糙度越小,且基片表面一致性也越好。综合比较,可确定微波铁氧体基片适宜的抛光工艺方式为:采用粒径1μm的金刚石磨料搭配聚氨酯抛光垫进行抛光,基片表面粗糙度Ra为0.019~0.022μm。在隔离器中的应用表明,微波铁氧体基片表面粗糙度越小,隔离器插入损耗越小。

磁流变抛光技术

对磁介质辅助抛光技术２０ 年来的发展作了简要的回顾，进而介绍了磁流变抛光技术的产生和发展背景、抛光机理及微观解释、数学模型，同时提出了这种抛光技术的关键所在，并对其发展未来进行了展望。

碳化硅表面硅改性层的磁介质辅助抛光

为了实现碳化硅表面硅改性层的精密抛光,获得高质量光学表面,对磁介质辅助抛光技术进行研究。设计了适合碳化硅表面硅改性层抛光的磁介质辅助抛光工具,并对抛光工具的材料去除函数进行研究。针对材料去除函数的特性,对数控磁介质辅助抛光的驻留时间算法进行了研究。采用磁介质辅助抛光技术对碳化硅表面硅改性层平面样片进行了抛光实验。经过一次抛光迭代,碳化硅样片表面硅改性层的面形精度(均方根)由0.049λ收敛到0.015λ(λ=0.6328μm),表面粗糙度从2nm改善至0.64nm。实验结果表明基于矩阵代数的驻留时间算法有效,磁介质辅助抛光适合碳化硅表面硅改性层加工。