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气囊抛光曲面光学零件工艺参数对抛光区特征影响的研究 被引量:9
1
作者 龚金成 谢大纲 +1 位作者 宋剑锋 姚英学 《燕山大学学报》 CAS 2008年第3期197-200,共4页
首先介绍了气囊抛光的原理,然后在自行研制的气囊抛光实验样机上,对曲面光学零件进行了抛光实验,研究了进动角、气囊压缩量、气囊内部压力、气囊转速以及工件的曲率半径几个重要的工艺参数对球面光学玻璃抛光区影响情况,总结了各工艺参... 首先介绍了气囊抛光的原理,然后在自行研制的气囊抛光实验样机上,对曲面光学零件进行了抛光实验,研究了进动角、气囊压缩量、气囊内部压力、气囊转速以及工件的曲率半径几个重要的工艺参数对球面光学玻璃抛光区影响情况,总结了各工艺参数对抛光区的影响规律,给出了曲面光学零件工艺参数合理的抛光区取值范围。 展开更多
关键词 气囊抛光 工艺参数 抛光区
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磁射流抛光时几种工艺参数对材料去除的影响 被引量:8
2
作者 张学成 戴一帆 +1 位作者 李圣怡 彭小强 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期1004-1008,共5页
研究了磁射流抛光时几种工艺参数对材料去除的影响。首先介绍了磁射流抛光的原理和实验装置,然后从实验出发研究了磁射流抛光中材料的去除。利用标准的磁流变液进行了一系列定点抛光实验。重点研究了冲击角、工作距离、射流速度和磁场... 研究了磁射流抛光时几种工艺参数对材料去除的影响。首先介绍了磁射流抛光的原理和实验装置,然后从实验出发研究了磁射流抛光中材料的去除。利用标准的磁流变液进行了一系列定点抛光实验。重点研究了冲击角、工作距离、射流速度和磁场强度对抛光区形状和去除量的影响,获得了相应的关系曲线。运用计算流体力学方法分析了材料去除机理。为进一步研究磁射流抛光的各种参数的最佳匹配,实现磁射流抛光的数控加工奠定了基础。 展开更多
关键词 磁射流抛光 射流稳定性 抛光区 去除机理
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磁流体辅助抛光工件表面粗糙度研究 被引量:24
3
作者 张峰 张斌智 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期34-39,共6页
给出了磁流体辅助抛光的机理,以及依据Preston方程建立的磁流体辅助抛光的数学模型。并通过实验详细研究了磁流体辅助抛光后工件的抛光区形状,以及抛光区内表面粗糙度情况。最终加工出了表面粗糙度为0.76 nm(rms值)的光学元件,其高频表... 给出了磁流体辅助抛光的机理,以及依据Preston方程建立的磁流体辅助抛光的数学模型。并通过实验详细研究了磁流体辅助抛光后工件的抛光区形状,以及抛光区内表面粗糙度情况。最终加工出了表面粗糙度为0.76 nm(rms值)的光学元件,其高频表面粗糙度达到0.471 nm(rms值),满足了对一定短波段光学研究的要求。结果表明:磁流体辅助抛光可以用于对光学元件进行超光滑加工;在磁流体辅助抛光过程中,较大粒度的磁流体抛光液有利于工件表面粗糙度快速降低,较小粒度的磁流体抛光液可以获得更加光滑的光学表面。 展开更多
关键词 磁流体辅助抛光 磁流变抛光 抛光区 超光滑表面
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磁流变抛光液的研制 被引量:7
4
作者 张峰 潘守甫 +4 位作者 张学军 张忠玉 郑立功 程灏波 牛海燕 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期490-491,494,共3页
磁流变抛光是近十年来新兴的一种先进光学制造技术。首先简要介绍了磁流变抛光的抛光机理。然后对在磁流变抛光中起重要作用的磁流变抛光液的组成、流变性和稳定性进行了研究。在外加磁场强度高于 3 18kA m时 ,磁流变抛光液的剪切应力大... 磁流变抛光是近十年来新兴的一种先进光学制造技术。首先简要介绍了磁流变抛光的抛光机理。然后对在磁流变抛光中起重要作用的磁流变抛光液的组成、流变性和稳定性进行了研究。在外加磁场强度高于 3 18kA m时 ,磁流变抛光液的剪切应力大于 2 0kPa ,该应力足以完成磁流变抛光。最后给出一个磁流变抛光的实例 ,证明了磁流变抛光液的实用性。实验中磁流变抛光的最大材料去除率约为 0 .2 μm s。 展开更多
关键词 磁流变抛光 磁流变抛光 剪切应力 抛光区 材料去除率
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基于磁流变抛光技术的实验装置研究 被引量:1
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作者 李蓓智 赵华 +1 位作者 杨建国 周虎 《机械设计与制造》 北大核心 2008年第10期158-160,共3页
在介绍了磁流变抛光的基本原理的基础上,对磁流变抛光的实验装置进行了分类设计,从工件与抛光盘的相对位置和磁流变液的注入形式考虑,分别通过平置式、倒置式和正置式,使抛光装置与不同机床进行整合,实现了模块化设计理念。同时对不同... 在介绍了磁流变抛光的基本原理的基础上,对磁流变抛光的实验装置进行了分类设计,从工件与抛光盘的相对位置和磁流变液的注入形式考虑,分别通过平置式、倒置式和正置式,使抛光装置与不同机床进行整合,实现了模块化设计理念。同时对不同的整合方案进行了比较,得出合理的设计方案。 展开更多
关键词 磁流变抛光 磁流变液 抛光区 磁场
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磁流变抛光数学模型的建立 被引量:36
6
作者 张峰 张学军 +2 位作者 余景池 王权陡 郭培基 《光学技术》 CAS CSCD 2000年第2期190-192,共3页
介绍了近年来的一种新兴的光学加工技术———磁流变抛光 (MRF)。以Preston方程为依据建立了这种抛光方法的数学模型。利用该数学模型详细分析了被加工工件表面材料去除率与压力参数P成正比的关系 ,指出了工件表面所受的压力P主要是由... 介绍了近年来的一种新兴的光学加工技术———磁流变抛光 (MRF)。以Preston方程为依据建立了这种抛光方法的数学模型。利用该数学模型详细分析了被加工工件表面材料去除率与压力参数P成正比的关系 ,指出了工件表面所受的压力P主要是由流体动压力Pd 和磁化压力Pm 两部分组成的。以用磁流变抛光方法加工凸球面工件为例 ,具体推导出流体动压力Pd 和磁化压力Pm 的数学表达式 ,并通过实验对压力P的数学表达式及抛光模型的合理性进行了验证。 展开更多
关键词 磁流变抛光 抛光区 磁化强度 数学模型
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磁流变抛光材料去除的研究 被引量:11
7
作者 张峰 潘守甫 +2 位作者 张学军 王权陡 张忠玉 《光学技术》 CAS CSCD 2001年第6期522-523,525,共3页
磁流变抛光是近十年来的一种新兴的先进光学制造技术 ,它利用磁流变抛光液在梯度磁场中发生流变而形成的具有粘塑行为的柔性“小磨头”进行抛光。被抛光光学元件的材料去除是在抛光区内实现的。首先简要阐述了磁流变抛光的抛光机理 ,然... 磁流变抛光是近十年来的一种新兴的先进光学制造技术 ,它利用磁流变抛光液在梯度磁场中发生流变而形成的具有粘塑行为的柔性“小磨头”进行抛光。被抛光光学元件的材料去除是在抛光区内实现的。首先简要阐述了磁流变抛光的抛光机理 ,然后利用标准磁流变抛光液进行抛光实验。研究了磁流变抛光中几种主要工艺参数对抛光区的大小和形状以及材料去除率的影响情况。最后给出了磁流变抛光材料去除的规律。 展开更多
关键词 磁流变抛光 抛光区 材料去除 光学制造技术
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平面和曲面光学零件气囊抛光材料去除的比较研究 被引量:2
8
作者 宋剑锋 姚英学 +2 位作者 谢大纲 龚金成 袁哲俊 《光学技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期63-65,68,共4页
气囊数控抛光是近年来一种新兴的先进光学制造技术,采用柔性的气囊作为抛光工具并以进动的方式进行加工。首先简要阐述了气囊抛光的抛光原理,然后针对平面和曲面光学零件,在自行研制的气囊抛光实验样机上进行了抛光实验。被抛光光学元... 气囊数控抛光是近年来一种新兴的先进光学制造技术,采用柔性的气囊作为抛光工具并以进动的方式进行加工。首先简要阐述了气囊抛光的抛光原理,然后针对平面和曲面光学零件,在自行研制的气囊抛光实验样机上进行了抛光实验。被抛光光学元件的材料去除是在抛光区内实现的。研究了进动角、气囊压缩量、气囊内部压力、气囊转速、抛光时间以及工件的曲率半径几种重要的工艺参数对平面工件和球面工件抛光接触区大小和形状影响情况的异同。在此基础上,总结了气囊抛光材料去除的影响规律。给出了几种重要工艺参数在平面工件和球面工件上取值范围。 展开更多
关键词 气囊抛光 抛光区 材料去除
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Contact stress non-uniformity of wafer surface for multi-zone chemical mechanical polishing process 被引量:3
9
作者 WANG TongQing LU XinChun +1 位作者 ZHAO DeWen HE YongYong 《Science China(Technological Sciences)》 SCIE EI CAS 2013年第8期1974-1979,共6页
A finite element analysis(FEA)model is developed for the chemical-mechanical polishing(CMP)process on the basis of a 12-in five-zone polishing head.The proposed FEA model shows that the contact stress non-uniformity i... A finite element analysis(FEA)model is developed for the chemical-mechanical polishing(CMP)process on the basis of a 12-in five-zone polishing head.The proposed FEA model shows that the contact stress non-uniformity is less dependent on the material property of the membrane and the geometry of the retaining ring.The larger the elastic modulus of the pad,the larger contact stress non-uniformity of the wafer.The applied loads on retaining ring and zone of the polishing head significantly affect the contact stress distribution.The stress adjustment ability of a zone depends on its position.In particular,the inner-side zone has a high stress adjustment ability,whereas the outer-side zone has a low stress adjustment ability.The predicted results by the model are shown to be consistent with the experimental data.Analysis results have revealed some insights regarding the performance of the multi-zone CMP. 展开更多
关键词 chemical mechanical polishing contact stress NON-UNIFORMITY multi-zone polishing head retaining ring
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Buffing The Northeast
10
作者 Li Nan 《Beijing Review》 2016年第49期36-37,共2页
New moves seek to spur economic vigor The sluggish economic performance of the northeastern region in the first three quarters of 2016 has once again sounded alarms for the Chinese Government.
关键词 Northeast quarters northeastern private Liaoning Heilongjiang Jilin attract ownership again
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