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纳米聚集氧化硅固定磨料抛光布的抛光特性 被引量:2
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作者 高绮 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第10期2490-2497,共8页
针对传统磨料的固定磨料抛光布容易在加工表面产生划伤,以及材料去除效率低等问题,提出了采用微米级球形聚集氧化硅粒子的固定磨料抛光布。将纳米聚集氧化硅粒子添加到抛光布中,用pH为10.5的碱性水溶液替代传统的抛光液,进行了Si基板的... 针对传统磨料的固定磨料抛光布容易在加工表面产生划伤,以及材料去除效率低等问题,提出了采用微米级球形聚集氧化硅粒子的固定磨料抛光布。将纳米聚集氧化硅粒子添加到抛光布中,用pH为10.5的碱性水溶液替代传统的抛光液,进行了Si基板的的抛光加工试验。与传统采用不规则形状天然氧化硅及球形熔融氧化硅固定磨料抛光布进行了比较,得到了纳米聚集氧化硅的固定磨料抛光布的加工特性,并讨论了它的基本参数对加工特性的影响。实验得到了与现行纳米抛光液(重量百分比为3%,pH=10.5)相同的材料去除率,加工表面粗糙度降低了约30%。与传统不规则形状天然氧化硅磨料抛光布相比,纳米聚集氧化硅抛光布的磨料为球形,弹性系数仅为其1.4%-60%,因此不易划伤抛光表面。与熔融氧化硅抛光布相比,纳米聚集氧化硅抛光布在pH为10.5的碱性水溶液中磨料表面可吸附的[-OH]离子提高了25倍,使得液相化学去除作用增大至去除率的70%以上。另外,随着纳米聚集氧化硅的微米粒径的增大,固定磨料抛光布的纳米级加工表面粗糙度几乎不变,但对前加工面表面粗糙度的去除能力明显增大,表现出微米粒径效应。 展开更多
关键词 固定磨料抛光布 纳米聚集氧化硅 化学去除材料 表面划伤 微米粒径效应
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线性判别分析在表征抛光布抛光效果中的应用研究 被引量:1
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作者 赵登超 刘明 +1 位作者 周超 黄宇星 《机电工程》 CAS 北大核心 2018年第8期793-798,810,共7页
针对目前抛光表面质量评定方法仅限于使用一维粗糙度参数,评定参数数量选取没有统一标准的问题,选取丝绒、真丝绒、平绒、呢绒4类抛光布和氧化铝抛光液对金属铜进行了抛光实验。通过共聚焦轮廓仪扫描获得了金属铜抛光表面形貌,提出了基... 针对目前抛光表面质量评定方法仅限于使用一维粗糙度参数,评定参数数量选取没有统一标准的问题,选取丝绒、真丝绒、平绒、呢绒4类抛光布和氧化铝抛光液对金属铜进行了抛光实验。通过共聚焦轮廓仪扫描获得了金属铜抛光表面形貌,提出了基于机器学习中的线性判别分析,选取了多个三维粗糙度参数(算术平均高度、高度均方根、倾斜度、峰度等)进行了聚类、降维分析;运用logistic回归、单因素方差分析对所建立的线性判别分析模型进行了交叉验证。研究结果表明:4类抛光布对金属铜表面抛光质量的影响具有差异性,该线性判别分析模型能实现抛光布抛光效果差异性的可视化展示,并提供有效区分4类抛光布抛光质量的粗糙度参数;在表征抛光布抛光质量时,采用算术平均高度参数最好,其次是高度均方根。 展开更多
关键词 线性判别分析 抛光布 LOGISTIC回归 算术平均高度
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研磨材料及抛光布产品的开发介绍 被引量:4
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作者 冯学本 《非织造布》 2010年第1期19-20,共2页
介绍了研磨材料、抛光布产品的生产工艺和设备等。
关键词 非织造 研磨材料 抛光布 产品 开发
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Al-Mg合金化学机械抛光的实验研究 被引量:2
4
作者 徐文忠 刘玉岭 +1 位作者 牛新环 穆会来 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第12期1174-1177,共4页
将CMP技术用于Al-Mg合金表面加工中,根据抛光布特性及Al-Mg合金性质来选择抛光布。并从研究Al-Mg合金在碱性条件下化学机械抛光机理出发确定相应的抛光液,最后对Al-Mg合金化学机械抛光中pH值、压力、流量等主要参数进行优化实验。确定... 将CMP技术用于Al-Mg合金表面加工中,根据抛光布特性及Al-Mg合金性质来选择抛光布。并从研究Al-Mg合金在碱性条件下化学机械抛光机理出发确定相应的抛光液,最后对Al-Mg合金化学机械抛光中pH值、压力、流量等主要参数进行优化实验。确定当压力为0.05 MPa,pH值为11.20,流量为250 ml/min时,Al-Mg合金表面状态良好。用美国ZYGO公司产的NewView6000非接触光学表面轮廓仪来测量表面粗糙度已达到纳米级别。 展开更多
关键词 化学机械抛光 抛光布 单因素法 表面状态 抛光
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金相试样机械抛光质量影响因素及解决措施 被引量:4
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作者 陈天 《化工管理》 2019年第23期123-124,共2页
抛光是金相制样过程中必不可少的环节,直接影响金相显微组织的显示。文章主要介绍了金相试样机械抛光的原理、操作要点和注意事项,讨论了金相试样抛光的影响因素与解决措施,为初学者提供金相抛光的基础知识与技巧。
关键词 金相抛光 机械抛光 抛光 抛光布
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抛光剂
6
《涂料文摘》 1996年第5期81-81,共1页
关键词 抛光 抛光布 贵重金属 乳化剂 半固态 IPC 欧洲专利 含氟聚合物 化学活化剂 软化水
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蓝宝石衬底材料CMP去除速率的影响因素 被引量:5
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作者 宗思邈 刘玉岭 +2 位作者 牛新环 李咸珍 张伟 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2009年第1期50-54,共5页
阐述了蓝宝石衬底应用的发展前景及加工中存在的问题,分析了蓝宝石衬底化学机械抛光过程中pH值、压力、温度、流量、抛光布等参数对去除速率的影响。提出了采用小流量快启动的方法迅速提高CMP温度,在化学作用和机械作用相匹配时(即高pH... 阐述了蓝宝石衬底应用的发展前景及加工中存在的问题,分析了蓝宝石衬底化学机械抛光过程中pH值、压力、温度、流量、抛光布等参数对去除速率的影响。提出了采用小流量快启动的方法迅速提高CMP温度,在化学作用和机械作用相匹配时(即高pH值、大流量或低pH值,小流量)可得到较高去除速率,且前者速率高于后者。实验采用nm级SiO2溶胶为磨料的碱性抛光液,使用强碱KOH作为pH调节剂,并加入了适当的表面活性剂及螯合剂等。工艺参数为压力0.18MPa、温度45℃、转速60r/min,采用Rodel-suba 600抛光布,在保证表面质量的同时得到的最大去除速率为11.35μm/h。 展开更多
关键词 化学机械抛光 蓝宝石衬底 去除速率 nm级SiO2溶胶 抛光布
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外科植入物用不锈钢金相试样的制备 被引量:2
8
作者 董加坤 张敏 《理化检验(物理分册)》 CAS 2005年第6期294-297,共4页
对外科植入物不锈钢试样的制备进行了试验。结果表明,牙托树脂具有最佳的凝固速度和可填充性,可用手捏成任意的形状,使试样可任意地被压入或被包住,可做到试样镶嵌的随意性,尤其适合细丝和薄板的镶嵌;试面抛光选用非压敏胶植绒型抛光布... 对外科植入物不锈钢试样的制备进行了试验。结果表明,牙托树脂具有最佳的凝固速度和可填充性,可用手捏成任意的形状,使试样可任意地被压入或被包住,可做到试样镶嵌的随意性,尤其适合细丝和薄板的镶嵌;试面抛光选用非压敏胶植绒型抛光布,抛光效果好,可准确评定夹杂物;选用王水做侵蚀试剂,用擦拭的方法可有效地显示游离铁素体和其显微组织。 展开更多
关键词 牙托树脂 镶嵌 非压敏胶植绒抛光布 擦拭 王水
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抛光纸布的固定装置
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《磨料磨具通讯》 2003年第1期17-17,共1页
关键词 抛光 固定装置 合成树脂
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调心球轴承外圈精研工艺的改进
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作者 李琳 王亭亭 《哈尔滨轴承》 2015年第3期21-22,共2页
调心球轴承外滚道精研原来采用手工油膏布抛光方法,造成滚道粗糙度低、精研不均匀、滚道不清洁等问题。针对上述问题,对精研方法进行了改进,用精研机自动加工代替手工加工,用油石代替油膏布,提高了工作效率和产品质量。
关键词 调心球轴承 外滚道 精研机 油膏抛光 油石精研
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Contact stress non-uniformity of wafer surface for multi-zone chemical mechanical polishing process 被引量:3
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作者 WANG TongQing LU XinChun +1 位作者 ZHAO DeWen HE YongYong 《Science China(Technological Sciences)》 SCIE EI CAS 2013年第8期1974-1979,共6页
A finite element analysis(FEA)model is developed for the chemical-mechanical polishing(CMP)process on the basis of a 12-in five-zone polishing head.The proposed FEA model shows that the contact stress non-uniformity i... A finite element analysis(FEA)model is developed for the chemical-mechanical polishing(CMP)process on the basis of a 12-in five-zone polishing head.The proposed FEA model shows that the contact stress non-uniformity is less dependent on the material property of the membrane and the geometry of the retaining ring.The larger the elastic modulus of the pad,the larger contact stress non-uniformity of the wafer.The applied loads on retaining ring and zone of the polishing head significantly affect the contact stress distribution.The stress adjustment ability of a zone depends on its position.In particular,the inner-side zone has a high stress adjustment ability,whereas the outer-side zone has a low stress adjustment ability.The predicted results by the model are shown to be consistent with the experimental data.Analysis results have revealed some insights regarding the performance of the multi-zone CMP. 展开更多
关键词 chemical mechanical polishing contact stress NON-UNIFORMITY multi-zone polishing head retaining ring
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