镍磷合金镀层表面磁流变抛光效率实验

分析了化学镀Ni-P合金沉积机理中最为重要的原子氢理论,简述了磁流变抛光过程中材料去除机理,并选取在磁流变抛光过程中主要的工艺参数进行正交实验。利用Zygo干涉仪等实验仪器检测实验件面形,计算出每个去除函数的峰值去除率。通过实验数据分析各因素对Ni-P合金镀层抛光效率的影响规律。实验结果表明各因素对Ni-P镀层抛光效率的影响关系:抛光粉浓度>抛光间隙>抛光轮转速>镀层厚度,通过实验并结合工程实际情况对各工艺参数进行了优化,为后续Ni-P合金镀层非球面表面抛光打下基础。

提高砂带抛光效率

现代化的带式抛光机充分显示了电机功率、机床设计、接触砂轮和砂带之间的最佳配合。

瓷质抛光机横梁摆动对抛光效率的影响

本文从瓷质抛光机横梁摆动规律入手,分析了复合摆动横梁两个方向的摆动规律与磨头对砖坯覆盖率的影响,进而提出复合摆动抛光机的设计理念,以达到磨头对砖坯的均匀磨削,一方面解决大板抛光线横梁无法进一步提高摆动速度的问题,另一方面减少过磨和漏抛现象,提高抛光优等品率,还可以减少抛光头数配置,降低能耗和占地面积。

KDP晶体潮解抛光中相对速度的研究

基于KDP晶体潮解抛光原理对KDP晶体抛光过程进行运动学分析,得到KDP晶体表面上一点相对于抛光垫的速度表达式。在抛光垫转数、载样盘圆心与抛光垫圆心之间的水平距离、载样盘圆心与其摆动圆心之间的水平距离、KDP晶体表面上一点到载样盘圆心的水平距离取不同值时,分别绘制KDP晶体表面某点相对于抛光垫的速度曲线,得到这几个参数对相对速度的影响规律,并据此确定这些参数的优化方向。

航空发动机整体叶盘叶片前倾抛光工序规划

通过增加前倾角的前倾抛光工艺可降低表面粗糙度。探究前倾角对抛光表面质量的影响规律对提高整体叶盘叶片的抛光效率具有重要意义。通过砂布页轮前倾抛光实验,获得P400~P1200粒度砂布页轮抛光TC4整体叶盘叶片时,用在不同抛光次数、前倾角度下的表面粗糙度。实验结果表明,抛光表面粗糙度随着前倾角的增加呈下降趋势。分析了前倾角变化对抛光表面质量的影响机制,并从多个角度进行探讨。通过量化抛光效率,研究了各粒度砂布页轮抛光效率随前倾角的变化规律,并得到了最佳前倾角度;此基础上进行抛光效率最优的抛光工序规划,并通过抛光实验进行验证。实验结果表明,优化后的抛光工序规划能在较少工序内获得合格的表面粗糙度,验证了抛光工序规划结果的可靠性。该研究为TC4整体叶盘叶片砂布页轮抛光工艺的优化提供了理论依据和实践指导。

大尺寸非规则碲锌镉晶片双面抛光技术

碲锌镉(CdZnTe)晶体性能优越,是高性能碲镉汞(HgCdTe)外延薄膜的首选衬底材料。双面抛光是一种加工质量较高的碲锌镉晶片表面抛光方式,其具有效率高、平整度好、晶片应力堆积少的优点。但当碲锌镉晶片尺寸增大后,其加工难度也随之上升,易出现碎片多、加工速率慢、表面平整度差等问题。本文开展了大尺寸非规则碲锌镉晶片双面抛光技术研究,深入分析了面积大于50 cm^(2)的非规则碲锌镉晶片双面抛光工艺中,不同参数对抛光质量的影响,通过模拟并优化晶片运动轨迹,优化抛光液磨粒粒型、抛光压力、抛光液流量等抛光工艺参数,实现了具有较高抛光速率和较好表面质量的大尺寸非规则碲锌镉晶片双面抛光加工,对进一步深入研究双面抛光技术有着重要意义。

CMP抛光半导体晶片中抛光液的研究

本文分析了化学机械抛光(CMP)半导体晶片过程中抛光液的重要作用,总结了抛光液的组成及其化学性能(氧化剂、磨料及pH值等)和物理性能(流速、粘性及温度)对抛光效果的影响规律,研究发现:酸性抛光液常用于抛光金属材料,pH最优值为4,碱性抛光液常用于抛光非金属材料,pH最优值为10～11.5;氧化剂能有效提高金属材料的抛光效率和表面平整度;磨料的种类、浓度及尺寸会影响抛光效果;分散剂有助于保持抛光液的稳定性;抛光初始阶段宜采用较低流速,然后逐渐提高;抛光液的粘性会影响晶片与抛光垫之间的接触模式、抛光液的均布、流动及加工表面的化学反应;抛光液温度的升高有助于提高抛光效率.最后本文指出了抛光液循环使用的重要意义及常用方法.

磁场强度对磁流变抛光表面粗糙度的影响

在自制的磁流变抛光实验装置中,通过被加工零件和Bingham凸起相对运动产生的剪切力来实现抛光.在该装置上进行工艺实验,研究了磁流变抛光技术中磁场对表面粗糙度的影响.比较了不同磁场强度下的磁流变抛光情况,以及表面粗糙度和抛光效率的差别,然后,通过采用不同磁场强度组合加工,使初始表面粗糙度(Ra)为400 nm的K9玻璃材料的平面,磁流变抛光30 min,表面粗糙度值达到了0.86 nm,提高了被加工零件的抛光效率和表面质量.

基于铝酸镁尖晶石材料的化学机械抛光工艺技术研究

透明铝酸镁尖晶石(MgAl_2O_4)具有优异的光学性能,随着光电技术的发展,铝酸镁尖晶石的需求量日益增加,对其表面质量也提出更高的要求。分析了铝酸镁尖晶石材料的特性,针对铝酸镁尖晶石材料硬度大,加工效率低等难点,依据普林斯顿方程加工理论,采用化学机械方法对镁铝尖晶石进行抛光。通过实验研究了影响铝酸镁尖晶石研抛工艺过程的因素并对工艺参数进行了优化,使铝酸镁尖晶石表面质量及加工效率得到了有效提高。

YAG基片的机械抛光研究

通过对机械抛光后的YAG表面进行了研究,结果表明:合理优化工艺参数,可获得较好的面形和较低的粗糙度,影响抛光效率的因素为磨粒、正压力和转速。采用较大粒度的磨粒,合理的增加压力和转速,有利于提高抛光效率。

纳米CeO_2颗粒的表面改性及其抛光性能研究

为改善CeO2粉体的化学机械抛光(CMP)性能,采用聚乙烯亚胺(PEI)作为分散剂,对CeO2粉体表面进行改性,通过傅立叶红外光谱(FTIR)、透射电镜显微镜(TEM)、Zeta电位仪、激光粒度仪及稳定性测试等方法分析了表面改性对CeO2颗粒表面性质及其抛光液分散稳定性的影响。结果表明:纳米CeO2粉末经PEI改性后改变了其在水中的胶体性质,Zeta电位绝对值提高,CeO2颗粒间的空间位阻增加,抛光液的分散稳定性得到了明显改善。改性后纳米CeO2抛光液对手机面板玻璃的化学机械抛光(CMP)的抛光效率(MRR)由改性前的330 nm/min增加到381.6 nm/min,具有更好的抛光效果。

单晶锗光学表面数控高速抛光优化试验

为研究单晶锗镜片表面光洁度无法达到要求的加工技术难题,基于数控高速抛光方法,开展了聚氨酯和沥青两种抛光模的数控高速抛光优化试验,以Preston理论为基础,通过不断优化工艺流程和参数,结合运动轨迹仿真和功率谱密度计算,对比分析了两种抛光模的加工效率和表面质量控制能力.试验结果表明:两种抛光方式均能获得较高的面形精度,聚氨酯抛光模具有较高的加工效率,但光学表面微观形貌控制能力较差,沥青模抛光得到的表面粗糙度RMS相比聚氨酯模提升近3nm.通过单晶锗光学表面数控高速抛光试验,最终优化并提出了聚氨酯初抛光与沥青精抛光相结合的方式,并进行了试验验证.

蓝宝石晶片飞秒激光辅助集群磁流变抛光试验研究

为了实现蓝宝石衬底材料高效高品质超光滑平坦化加工的目的,提出一种先利用飞秒激光对蓝宝石晶片表面材料进行预处理改性后再集群磁流变抛光新工艺,并且研究了飞秒激光扫描速度和集群磁流变抛光时间对激光预处理蓝宝石晶片表面抛光材料去除率和表面粗糙度的影响规律,同时借助X射线光电子能谱(XPS)和X射线衍射(XRD)分析了蓝宝石表面经过飞秒激光处理前后材料特性变化,深入研究了飞秒激光辅助集群磁流变抛光加工机理。研究结果表明,飞秒激光预处理对蓝宝石晶片集群磁流变抛光效果影响显著,蓝宝石晶片用飞秒激光预处理加工后的集群磁流变抛光材料去除率提高了1倍以上,并且飞秒激光扫描速度为100mm/s时,预处理的蓝宝石经过抛光后可以得到较好的表面质量和表面形貌;XPS和XRD检测结果表明蓝宝石衬底表面经过飞秒激光辐照后并未发生化学反应,而是飞秒激光使得蓝宝石表面层晶体结构发生了非晶化和微晶化有利于集群磁流变抛光过程中的材料去除。研究表明,飞秒激光可使蓝宝石表面层发生微晶化和非晶化进而有利于提升集群磁流变抛光蓝宝石的抛光效率和表面性能。

瓷质砖抛光工序参数浅析

本文分析了瓷质砖抛光工序中的磨具、磨头、压力、速度等工作参数对抛光各阶段的影响,阐述了各阶段工作参数的选择原则。

浅析稀土抛光粉的发展现状及思考

稀土抛光粉的主要组分是氧化铈,又称为氧化铈抛光粉、铈基稀土抛光粉,因其优异的抛光效果,也被誉为“抛光粉之王”。稀土抛光材料具有粒度均匀、硬度适中、抛光效率高、使用寿命长、抛光质量好、清洁环保等优点,广泛应用于液晶显示器、手机盖板、集成电路、光学玻璃、精密光学元件、高端饰品等领域的抛光。随着液晶显示器及3C产业的不断壮大,高性能稀土抛光材料成为电子及微电子信息产业发展的关键材料,并促进了我国稀土产业的发展,提高了稀土产品的附加值。

抛光盘清洗机

随着汽车维修行业的不断发展,客户和维修站对于车辆的维修要求也越来越高,特别是对于车辆的外表美容有了更高的要求。维修站对于每辆喷涂维修后的车辆都要精心进行抛光处理以求车辆的表面光洁如新。但是,现在每家维修站在抛光工艺结束后对于抛光盘的清洗和保养都不够重视,造成了抛光盘的大量损耗,抛光效率降低,不能达到理想的镜面效果。

一种用于透镜高速抛光的高纯氧化铈

介绍一种透镜高速抛光中与聚氨基甲酸乙酯抛光模相匹配的高纯氧化铈,着重阐述烧制处理、添加剂对其抛光效率的影响以及回收工艺。

激光选区熔化成形TC4的电解质等离子抛光工艺与性能

利用PEP200电解质等离子抛光(PEP)设备研究了工艺参数对激光选区熔化成形TC4表面处理效果的影响。设计溶液温度、抛光电压和浸入深度对表面质量及抛光效率影响的实验,并通过对复杂零件PEP验证最佳工艺参数选择的合理性,设置电解液浓度为4%(质量分数),抛光时间为15 min。通过粗糙度仪、光学显微镜(OM)、共聚焦显微镜和扫描电子显微镜(SEM)等对样件表面粗糙度(R_(a))、表面形貌、三维轮廓及元素成分进行测试。结果表明,使用PEP降低激光选区熔化成形TC4零件表面粗糙度的最佳工艺参数为:抛光电压为280 V,溶液温度为90℃,浸入深度为40 mm;材料去除率的最佳工艺参数为:抛光电压为280 V,溶液温度为80℃,浸入深度为20 mm。R_(a)最低可降至1.906μm,材料去除率最高可达5.98μm·min^(-1)。复杂TC4零件整体光泽度实测可达253 GU,R_(a)从9.534μm下降到1.987μm,下降率达79.16%。SEM图像显示,PEP处理后TC4零件表面由喷砂冲击所造成的大量撕裂纹完全去除。三维轮廓颜色变化更加均匀,峰差仅为37.47μm。表面杂质元素均已去除,且未检测到电解液成分元素的残留。通过优化PEP工艺参数,有效去除了零件表面缺陷,提升了TC4复杂零件的表面质量及抛光效率。

SiC单晶片CMP超精密加工技术现状与趋势

综述了半导体材料SiC抛光技术的发展,介绍了SiC单晶片CMP技术的研究现状,分析了CMP的原理和工艺参数对抛光的影响,指出了SiC单晶片CMP急待解决的技术和理论问题,并对其发展方向进行了展望。