X射线回摆曲线定量检测SI-GaAs抛光晶片的亚表面损伤层厚度

本文通过测量ＳＩ－ＧａＡｓ抛光晶片及其本体（腐蚀了晶片的亚表面损伤层）的Ｘ射线回摆曲线ＦＷＨＭ，与抛光晶片的ＴＥＭ观测相结合，作出晶片回摆曲线ＦＷＨＭ的比率Ｒ与ＴＥＭ观测的晶片亚表面损伤层厚度Ｄ的关系曲线，建立了一种定量检测ＳＩ－ＧａＡｓ抛光晶片的亚表面损伤层厚度技术，文中将对这种技术进行描述并作讨论．

半导体抛光晶片缺陷的光学无损检测研究

抛光晶片缺陷检测是半导体材料生产和器件生产中的一个重要环节,晶片质量及器件成品率与缺陷检测的成功与否有着相当重要的关系。本文重点介绍了利用我国古代劳动人民发明的透光镜原理建立的抛光晶片激光无损缺陷检测技术和相应的仪器系统,并对一系列缺陷的测试和实验分析结果进行了相应的讨论。

砷化镓抛光晶片表面沾污的二次离子质谱分析

在砷化镓工艺过程中,很多失效问题与表面的沾污有关,二次离子质谱分析是表面分析的有力手段,本文提供一种用二次离子质谱分析检测砷化镓表面钠、钾和铝的沾污水平的测试方法。

硅晶片抛光用高纯度大粒径硅溶胶的研究

本文采用硅粉水解-胶粒整理法制备硅晶片抛光所用硅溶胶,考察了单质硅粉的加入量、反应时间、反应温度、硅溶胶底液浓度、催化剂种类及用量对硅溶胶胶粒平均粒径增长的影响,得到最佳工艺条件:单质硅粉的最佳加入量为25 g、反应时间7 h、反应温度80℃、硅溶胶底液的质量浓度为8%、选稀氨水为催化剂、用量为12 mL,在此条件下可制备得到平均粒径为20 nm的硅溶胶产品。经过多次粒子生长可以制备得到适用于硅晶片抛光产业的高纯度大粒径硅溶胶。

LEC GaAs晶片的表面缺陷与晶体缺陷

通过激光散射扫描的宏观检测方法检测非掺杂LEC半绝缘GaAs晶片(100)晶向的抛光片颗粒度时,意外发现一种源自晶体的微缺陷,该微缺陷在晶体中有四个聚集团,这为认识研究此类缺陷的一些宏观性质开辟了新的道路和方法.同时作者通过定性实验断定这种微缺陷为砷沉淀腐蚀后显示的腐蚀坑,并研究了其在整个晶体中纵向逐步减少和径向具有四个聚集中心的分布规律及其产生原因.

钛掺杂对纳米CeO_2磨料硅片抛光性能的改善

以已二醇/水混合溶液为反应介质并结合正丁醇共沸蒸馏处理前驱体,通过化学共沉淀法制备掺钛的Ce1-x Ti x O2(x=0,0.1,0.2,0.3)粉体,运用X射线衍射仪(XRD)、透射电镜(TEM)、Zeta电位仪等仪器对其物相、外观形貌、表面电位等性质进行了表征,通过测定去除速率和原子力显微镜观察硅片表面的微观形貌来评价钛掺杂对CeO2磨料硅片抛光性能的影响。结果表明,900℃焙烧时所合成的CeO2及其复合氧化物为均一的纳米球状粒子,一次粒子尺寸为40 nm^50nm。纳米Ce0.8Ti0.2O2粉体对硅片的去除速率达到最大值139nm·min-1,是纳米CeO2磨料(67nm·min-1)的2倍,且在1.0μm×1.0μm的范围内微观表面粗糙度R a值达到0.254nm,而Ce0.9Ti0.1O2和Ce0.7Ti0.3O2的去除速率分别为112nm·min-1和89nm·min-1。适量钛掺杂导致纳米CeO2磨料硅片抛光性能显著提高,它与钛掺杂调谐增大纳米CeO2磨料的其负表面电位大小和生成CeTi2O6物相密切相关。

日本开发出高纯度胶体二氧化硅的新方法

日本Fuso化学公司开发出一种水相超高纯度的胶体二氧化硅，其中二氧化硅的含量为现有产品的3倍多，到现在为止，以水作溶剂的胶体二氧化硅中，二氧化硅最高含量为12％，但使用优化的溶胶-凝胶方法可以使二氧化硅的最大浓度高达40％。该公司的超高纯度胶体二氧化硅占有全世界硅晶片抛光剂市场份额的80％。

化合物半导体

Z99-51304-24 9914827MOCVD 法生长 AtGaAs 的组分控制研究[会]/公延宁//第六届全国固体薄膜学术会议论文集.—24～26(D)Z99-51304-155 9914828砷化镓抛光晶片表面吸附问题的分析[会]/郑红军//第六届全国固体薄膜学术会议论文集.—165～168(D)采用 ASS(俄歇电子能谱)测试方法,分析了经过不同方法后步清洗工艺处理的 GaAs 抛光晶片表面态,结果表明,抛光晶片表面吸附物主要是与晶片表面悬挂键相结合的残留反应生成物、残余抛光液-氧,而化学吸附-氧是影响 GaAs 抛光晶片清洗、封装工艺技术发展的关键问题之一。