后混合磨料水射流对金属的抛光机制及实验研究

阐述后混合磨料水射流的工作原理,从理论上研究磨料水射流的抛光机制,通过实验对牌号为0Cr18Ni9Si的不锈钢进行冷态抛光加工,采用JB-4C表面粗糙度测量仪进行测量与分析,金属表面粗糙度从原始的2.203μm提高到了抛光后的1.195μm。结果表明:适当地控制工艺参数可以对金属材料进行冷态抛光加工,并取得良好的表面加工质量,为异形曲面的冷态抛光加工提供理论基础和实践指导。

超大型刻面宝石抛光实践兼论宝石抛光机制

介绍了超大刻面宝石抛光过程及各环节中的关键技术 ,如中硬抛光盘的制作、抛光粉的选择、抛光粉的最佳粒度、稀释程度抛光介质的搭配、抛光线速度、操作压力等。研究表明 :在抛光中适当加入一些酸和亲和物可在宝石与抛光材料、磨盘之间产生电解作用 ,从而在宝石表面产生缓慢的分子适移或转移 ;刻面宝石的抛光机制的前提条件是热塑性流动及分子迁移学说 ,掌握被抛光宝石的不同pH值 ,并与抛光盘科学组合使用 。

铜抛光液中缓蚀剂5-氨基四唑(ATA)的作用机制研究

采用静态腐蚀实验、接触角测试、XPS等手段,比较在不同pH值下抛光液中缓蚀剂(5-氨基四唑(ATA),苯并三唑(BTA))对铜表面化学机械抛光(CMP)的影响,并探讨ATA在铜表面的作用机制。结果表明,BTA和ATA是优良的铜缓蚀剂,当pH值为3～10时,两者可在铜表面成膜,保护铜表面不受腐蚀,从而降低铜片的静态腐蚀速率和去除率,其中当pH=4时,2种缓蚀剂表现出最佳的缓蚀性能。当pH值为3～5时,ATA的缓蚀性能优于BTA。ATA通过四唑环上的N原子和氨基上的N原子吸附在铜表面,形成保护膜,从而抑制了H2O2对铜表面的腐蚀,改善了表面质量,是一种优良的适用于酸性铜抛光液的缓蚀剂。

CeO_2/SiO_2复合磨粒抛光性能及机制研究

为提高硅片抛光质量与效率,利用均相沉淀法制备CeO2/SiO2复合磨粒,配制绿色环保水基型抛光液对硅片进行化学机械抛光,研究pH值、抛光时间、抛光速度、抛光压力等抛光工艺参数对硅片抛光性能的影响。结果表明:随抛光液pH值增加,材料去除率相应增大;材料去除率在一定时间范围内随抛光时间增加而下降;材料去除量随抛光速度、抛光压力的增加均先增大后减小。推测CeO2/SiO2复合磨粒抛光机制为由于水合作用,在硅片表面形成一层易于磨削的软质层。

A Computer-Controlled Polishing Machine

Describes a computer controlled polishing machine utilizing a small polisher with specified movement to figure optical surfces having strict dimensional requirements. The system is especially applicable in figuring aspherical surfaces, beginning with the best fit sphere if the departure from the desired surface is not large. An interferometric measuring system is desiigned to form a closed loop control during processing.

激光抛光技术研究进展与发展趋势

近年来,制造业进入了新的发展时期,对表面抛光技术提出了新的要求,激光抛光技术的快速发展为表面抛光智能化高效化提供了新的途径。激光抛光技术具有无污染、应用广、抛光质量稳定和易实现自动化等优点,是一种极具发展前景的工业抛光技术。但是目前激光抛光技术还不够成熟,仍有一些技术难点亟待解决。从激光抛光机制、激光抛光工艺和激光抛光新技术等方面梳理了近年来激光抛光技术的发展现状,阐述了激光类型、材料特性、工艺参数、抛光机制和抛光质量等多个维度的相互关系,总结了激光抛光技术需要解决的问题,并浅析了激光抛光技术未来的发展趋势。