十二烷基苯磺酸钠对磁性复合流体分散性及抛光质量的影响

目的针对磁性复合流体(Magnetic Compound Fluid,MCF)中磨粒易团聚的问题,提出通过阴离子表面活性剂十二烷基苯磺酸钠(Sodium Dodecyl Benzene Sulfonate,SDBS)来提高MCF的分散性,进而提升抛光表面质量。方法在MCF中添加不同质量分数的SDBS,采用激光粒度分布仪,测试抛光液中颗粒的粒径分布及中位粒径。利用Zeta电位分析仪,观察抛光液的Zeta电位分布,验证分散效果。使用SDBS含量不同的MCF对304不锈钢工件表面进行抛光,研究SDBS含量对MCF抛光材料去除率和表面粗糙度的影响规律。结果当SDBS质量分数从0%增至3%时,MCF的中位粒径从6.845μm降低至1.640μm,Zeta电位的绝对值从13.2 mV升高至53.8 mV,抛光材料的去除率从3.11 mg/min增加至3.25 mg/min,表面粗糙度Ra从0.27μm降低至0.09μm,抛光表面质量显著提升。当SDBS质量分数继续增加至5%~7%时,分散效果趋于饱和,抛光质量保持稳定。结论在MCF中添加适当质量分数的SDBS,可以有效解决磨粒团聚问题,提高MCF的分散性,抛光后表面质量明显改善。

基于BP神经网络的磨料水射流抛光质量研究

针对磨料水射流抛光质量与各工艺参数间,因复杂的非线性关系而无法用传统的数学方法建模的问题,基于BP神经网络理论,建立了磨料水射流抛光BP神经网络模型。以磨料水射流抛光铝合金轮毂为例,在考虑磨料浓度、入射角度、射流压力、靶距、横移速度5个工艺参数的情况下,通过正交实验收集27组样本数据,对样本数据进行方差分析和F检验,获得各工艺参数对表面粗糙度值影响的强弱,从而确定网络模型的输入参数为磨料浓度、靶距、横移速度与表面粗糙度,输出参数入射角度、射流压力,并将样本数据用于网络模型的训练和检测。在网络模型预测的入射角度与射流压力下进行抛光实验,测得铝合金轮毂表面粗糙度的实际值与实验值之间的相对误差最小为0.92%,最大为2.89%。结果表明:该网络模型能快速、准确地预测入射角度与射流压力,实现对抛光质量的间接控制。

合成抛光革的粘弹性特性及对抛光质量的影响

粘弹性特性是决定合成抛光车抛光性能的重要因素。实验研究了合成抛光革粘弹性特性中瞬间弹性变形ｕ、延迟弹性变形ｖ和塑性变形ｗ的大小，分析了这３种变形对抛光精度和抛光质量的影响。

材料表面激光抛光数值模拟研究进展

激光抛光技术与传统抛光技术相比,具有非接触式加工、高效率、无污染等特点,其目的是提高加工工件的尺寸精度和几何形状精度,降低材料表面的粗糙度。激光抛光伴随着传热传质、熔池内溶体流动、凝固等物理过程,由于熔池高温及瞬时演变的局限性,以数值模拟技术对熔池内部传热流动行为以及形貌演变进行仿真分析受到了国内外学者的广泛关注。综述了激光抛光机理、激光抛光数值模拟中的热源、金属及非金属(如半导体、陶瓷等)材料抛光研究现状与进展,最后对激光抛光数值模拟的未来发展进行了展望。

锡的物理机械性能及对晶体抛光质量的影响

研究了锡的物理机械性能对晶体抛光质量的影响，揭示了锡的硬度在２０－６０℃范围内具有明显的感温特性及不同的容纳磨料嵌入的能力．使用锡盘抛光时切向力较大．因此，当抛光条件变差时易产生抛光切向振动，破坏抛光质量及面型精度．

TSV铜抛光液的研究进展

对硅通孔技术(TSV)在3D堆叠封装领域的优势进行了简单阐述,同时指出化学机械抛光(CMP)技术作为具有高质量和高精度的全局平坦化工艺,是TSV制备过程中最重要的步骤之一。影响化学机械抛光质量以及效率的因素有很多,其中比较关键的是化学机械抛光液的组成成分及其性能。重点从抛光速率、抛光质量(抑制碟形坑、表面粗糙度等)和绿色环保几个方面对抛光液性能的影响进行了讨论,概述了近年来国内外铜抛光液的研究进展。最后,通过对比总结目前铜抛光液的研究成果,对TSV铜抛光液今后的研究重点和发展趋势进行了分析和预测,其应朝着抛光速率和抛光质量的优化、低成本及环境友好的方向发展。

浅谈大型不锈钢冻干机化学抛光

给出了不锈钢在室温条件下化学抛光液配方和抛光工艺条件。介绍了抛光液中各种组成的作用。详细讨论了不锈钢材料品种、质量和加工工艺以及抛光液注排和搅拌方法等对化学抛光质量的影响。

微流控芯片磁性抛光工艺参数优化

以提高微流控芯片表面质量为目的,进行磁性抛光微流控芯片的关键工艺参数优化研究.首先,设计单因素实验组,根据实验结果,得到磁性抛光关键工艺参数对其抛光质量的影响规律:随着抛光间隙的减小,芯片表面粗糙度由0.327μm增至0.045μm,后又降至0.130μm,其最佳抛光间隙为1.5 mm;主轴转速对抛光质量的影响并不显著,改变转速进行抛光后芯片表面粗糙度保持在0.045~0.055μm,其最佳范围为400~800 r/min;微流控芯片表面粗糙度随着抛光时间增加而提高,最高表面粗糙度为0.018μm,相对而言,最佳抛光时间为30 min.此外,磁性复合流体(magnetic compound fluid,MCF)抛光质量受加工间隙影响最大,受抛光时间的影响略大于主轴转速.实验结果表明,通过对磁性抛光的关键工艺参数进行优化,可以将微流控芯片的表面粗糙度从0.510μm提高到0.018μm,由此可进一步探索磁性抛光技术应用于微流控芯片的确定性抛光.

使用条件对合成抛光革粘弹性行为的影响

粘弹性行为是决定合成抛光革抛光性能的重要因素。在抛光中，抛光革由于温度、抛光度、使用状态等因素将使其粘弹性行为发生变化。

材料表面激光抛光技术研究进展

抛光技术是现代制造产业的关键技术之一,现代制造工艺的发展对材料抛光精度的要求已经达到了微纳级。与传统抛光技术相比,激光抛光技术更容易满足工业要求,并且适用于金属、陶瓷、玻璃等多种材料,在抛光加工领域受到了国内外学者的广泛关注。综述了近年来不同材料激光抛光技术的研究进展;针对激光抛光过程中产生的热应力,分析了工艺参数以及温度变化对激光抛光效果的影响,探讨了新型的激光抛光技术,梳理了将激光抛光与其他抛光技术进行有效复合的方法与观点。按照不同的材料,归纳了激光抛光技术的作用机理,并阐述了激光抛光技术的优缺点,最后对激光抛光技术的未来发展进行展望。对于目前激光抛光研究中尚未解决的问题以及未来不同材料的激光抛光技术的研究方向具有指导意义。

花岗石石材抛光技术

阐述花岗石石材抛光技术，磨抛工具及其改进，并分析抛光质量的影响因素以及抛光质量的评定方法。

换能器阵列型超声抛光机理及声场仿真和实验研究

为了提高工件表面抛光质量和抛光效率,对传统非接触式超声振动抛光进行了改进,将单个换能器换成换能器阵列,同时加入料筐的旋转运动,设计了实验样机。分析了超声抛光的材料去除机理,推导出单颗磨粒去除材料体积和磨粒振动速度的表达式。利用COMSOL对样机抛光槽内液体进行声场仿真,研究了换能器个数、换能器布置间距、换能器输入电压对抛光液声场分布的影响,优化了抛光槽底部换能器的布置方式,仿真结果显示,换能器个数为4个、布置间距为55 mm时,抛光槽中心区域声压分布更加均匀。实验探究了样机料筐转速、抛光时间、换能器输入电压对工件表面抛光质量的影响规律,确定了工件表面抛光效果最佳时的工艺参数组合,结果表明:料筐转速为50 r/min、抛光时间为80 min、换能器输入电压为150 V时,抛光效果最好,此时工件表面粗糙度减小量为0.019μm,表面粗糙度变化率为33.33%。

硅通孔抛光液的研究进展

硅通孔(TSV)技术是一种先进的封装技术,化学机械抛光(CMP)是集成电路TSV制作过程中的重要步骤之一,是可兼顾材料表面局部和全局平坦化的技术。抛光液是影响抛光表面质量和加工效率的关键因素,是CMP工艺中消耗品成本最大的部分。TSV抛光液主要包括铜膜抛光液和阻挡层抛光液,依据抛光速率和抛光质量(表面粗糙度、碟形坑修正等)的要求对其进行了分类讨论,概述了近年来TSV抛光液的研究进展,对其今后的研究重点和发展趋势进行了分析和预测,认为TSV抛光液应朝着抛光速率和抛光质量的优化、低成本、环境友好的方向发展。

电解机械复合抛光304不锈钢试验研究

本文设计了电解复合抛光304不锈钢工件的实验,并通过实验研究加工电压、进给速度、电极转速和电解液流量对抛光质量的影响规律。

二级行星磨料抛光机对矩形手机边框抛光实验研究

为研究二级行星磨料抛光机对矩形手机边框抛光工艺特性,采用外形与手机边框相似的矩形工件进行了抛光工艺实验,较系统地研究了抛光时间、抛光转速、磨料粒度等主要工艺参数对工件表面质量的影响规律。实验表明:在采用8~#核桃粒磨料,抛光时间为90 min,抛光转速为75 r/min时,工件表面抛光质量较好,长短边表面粗糙度差异性较小。

锗透镜的抛光简介

关于锗透镜的抛光，抛光剂的选用得当与否是决定抛光质量的关键。找到合适的抛光剂，还要考虑其它影响因素，如抛光剂浓度、抛光模制作情况、温度、湿度等，才能收到良好成效。对此问题，本文作简单阐述。

版辊质量对刮墨刀的影响

在凹版印刷中，版辊动平衡、版辊表面的抛光质量，版辊倒角、版辊梢度等都会对刮墨刀的使用情况产生影响，具体而言包括以下几方面。

低摩擦曲轴法兰抛光工艺关键因子研究及应用

为了改善曲轴法兰外圆表面抛光质量,从人员、材料、设备、抛光工艺、检测等角度全面分析研究曲轴法兰抛光表面粗糙度的相关因素,并运用等方差分析、双样本T检验法锁定关键因子,通过试验设计、验证、分析确定最优因子水平,在保证成本效率的同时实现法兰抛光过程能力(Ppk)提升至1.29。

信息产业部电子第46所开发出晶片表面质量分析仪

信息产业部中国电子工业科学技术交流中心在电子第46所召开了”表面质量分析仪”成果推广会。该成果受到信息产业部科技司有关领导、中国电子工业科技交流中心以及各单位与会代表的高度评价。

锑化铟抛光片表面粗糙度优化研究

锑化铟是中波红外探测应用较广的材料。抛光片的表面粗糙度是影响器件性能的关键指标。研究了锑化铟化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,CMP)液的pH值、氧化剂比例以及抛光液流速对锑化铟抛光片表面粗糙度的影响,并结合原子力显微镜(Atomic Force Microscope,AFM)和表面轮廓仪测试对抛光片的表面粗糙度进行了表征和优化。结果表明,当pH值为8、氧化剂比例为0.75%、抛光液流速为200 L/min时,InSb晶片的表面粗糙度为1.05 nm(AFM),同时晶片的抛光宏观质量较好。