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题名CMP抛光运动机理研究
被引量:6
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作者
靳永吉
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机构
中国电子科技集团公司第四十五所
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出处
《电子工业专用设备》
2005年第9期37-41,共5页
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文摘
通过对硅晶片化学机械抛光过程中抛光运动机理的理论分析,研究了硅晶片的抛光运动特性,探讨了主要工艺参数对硅晶片化学机械抛光后晶片表面粗糙度和表面平整度、抛光均匀性的影响规律。
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关键词
化学机械抛光
粗糙度
平整度
抛光运动
片内非均匀性
片间非均匀性
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Keywords
CMP
Roughness
Flatness
Polishing Motion
WIWNU
WTWNU
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分类号
TN305.2
[电子电信—物理电子学]
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题名摆式抛光机的运动摩擦学分析
被引量:1
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作者
王武刚
吕玉山
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机构
沈阳理工大学机械工程学院
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出处
《现代制造工程》
CSCD
北大核心
2009年第1期77-80,共4页
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基金
沈阳市自然科学基金资助项目(1033064-1-03)
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文摘
为了得到抛光机运动参量对被抛光硅片平面度的影响规律,利用坐标变换理论建立摆式抛光运动方程,基于运动方程和抛光材料去除的Preston模型,利用蒙特卡罗法分别对磨料轨迹、硅片表面的抛光相对摩擦长度等进行模拟,得到摆幅、摆臂初始角和抛光盘转速等对硅片表面切削轨迹和摩擦长度分布的影响规律,根据模拟结果可以得到最佳化的参数区域,使硅片表面的材料去除率分布均匀性和轨迹得到改善。
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关键词
化学机械抛光
抛光运动
摩擦长度
材料去除率
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Keywords
Chemical Mechanical Polishing (CMP)
polishing kinematics
friction distance
material removal rate
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分类号
TQ320
[化学工程—合成树脂塑料工业]
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题名碲锌镉晶片精密抛光效果的影响因素分析
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作者
种宝春
徐品烈
张文斌
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机构
中国电子科技集团公司第四十五研究所
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出处
《电子工业专用设备》
2022年第5期24-28,共5页
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文摘
碲锌镉(CZT,CdZnTe)晶片是生长红外焦平面列阵所用碲镉汞(HgCdTe)薄膜的衬底材料.为了满足碲镉汞液相外延的性能要求,采用化学机械抛光可获得平面度高、粗糙度低、无损伤层的碲锌镉晶片表面。通过对抛光结构的机械运动分析,建立了抛光过程中各参数对工艺指标的影响,通过实验优化工艺参数获得高质量的抛光效果。
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关键词
碲锌镉晶体
机械抛光运动
工艺实验设计
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Keywords
Cadmium zinc telluride(CZT,CdZnTe)
Mechanical polishing motion
Process experimental design
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分类号
TN305.1
[电子电信—物理电子学]
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