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抛物线型无损耗传输线的时域灵敏度分析 被引量:5
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作者 梁贵书 任宇 +1 位作者 董华英 崔翔 《华北电力大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2004年第2期5-8,共4页
频域灵敏度分析只能适用于线性网络。为了解决含非线性的问题,提出了一种由频域灵敏度公式求线性元件时域灵敏度公式的方法。基于伴随网络法和已有的频域灵敏度公式,推导出了抛物线型无损耗传输线的时域灵敏度公式,较好地解决了这类非... 频域灵敏度分析只能适用于线性网络。为了解决含非线性的问题,提出了一种由频域灵敏度公式求线性元件时域灵敏度公式的方法。基于伴随网络法和已有的频域灵敏度公式,推导出了抛物线型无损耗传输线的时域灵敏度公式,较好地解决了这类非均匀线的灵敏度求解问题。 展开更多
关键词 抛物线型无损耗传输线 非线性 时域灵敏度分析 偏微分方程
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抛物线型无损非均匀传输线的灵敏度研究 被引量:3
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作者 任宇 梁贵书 董华英 《华北电力大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2003年第2期30-33,共4页
科罗达(Kuroda)等效方法,可将抛物线型非均匀线用均匀线及若干集中参数元件组成的等效电路表示。用这种等效方法可以求解抛物线型非均匀线的精确解。对于非均匀线的灵敏度分析,目前尚未提出很好的方法。利用基于科罗达等效的等效电路,... 科罗达(Kuroda)等效方法,可将抛物线型非均匀线用均匀线及若干集中参数元件组成的等效电路表示。用这种等效方法可以求解抛物线型非均匀线的精确解。对于非均匀线的灵敏度分析,目前尚未提出很好的方法。利用基于科罗达等效的等效电路,在频域内推导出了抛物线型非均匀线的灵敏度公式,较好地解决了这类非均匀线的灵敏度求解问题。 展开更多
关键词 科罗达等效 抛物线非均匀传输线 灵敏度分析
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抛物线型有损耗非均匀线的灵敏度分析
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作者 梁贵书 任宇 崔翔 《华北电力大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2004年第3期19-22,共4页
为了对含抛物线型有损耗传输线网络进行灵敏度分析,提出了两种集中处理非均匀线损耗的分析方法。利用已有的抛物线型无损耗非均匀线的灵敏度公式,推导出了抛物线型有损耗非均匀线的灵敏度公式,较好地解决了这类非均匀线的灵敏度求解问题。
关键词 传输线 灵敏度分析 抛物线损耗非均匀线 参数元件
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基于传输线CMOS肖特基二极管W波段混频器
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作者 王超 吴宪顺 左晴光 《天津理工大学学报》 2014年第1期11-14,46,共5页
采用130 nm CMOS工艺,设计一种工作频率在94 GHz的高频无源混频器.该混频器为单平衡式结构,主要采用具有良好高频特性的肖特基势垒二极管与互补型传导传输线(CCS-TL)来实现.电路主要分为三部分:环形波导耦合器(Rat-race coupler),反向... 采用130 nm CMOS工艺,设计一种工作频率在94 GHz的高频无源混频器.该混频器为单平衡式结构,主要采用具有良好高频特性的肖特基势垒二极管与互补型传导传输线(CCS-TL)来实现.电路主要分为三部分:环形波导耦合器(Rat-race coupler),反向并联二极管对,低通滤波器.输入本振信号频率94 GHz,射频信号频率94.1 GHz,输出中频信号频率100 MHz.在电路直流偏置电压为0.5 V,本振信号PLO=0 dBm时,混频器的变频损耗为17 dB,P_(LO)=10 dBm,变频损耗为14.6 dB.经测试LO端口与RF端口的回波损耗分别为-13.4 dB,-16.7 dB,LO与RF的隔离度为26.2 dB. 展开更多
关键词 肖特基势垒二极管 互补传导传输线 高频 无源混频器 变频损耗
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双抛物型光纤的研究 被引量:1
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作者 龚岩栋 谢增华 +1 位作者 蒋方云 简水生 《光通信技术》 CSCD 北大核心 1997年第2期146-149,共4页
提出了折射率分布呈双抛物线结构的光纤,研究了它的传输特性,并与W型光纤做了比较,证明它是一种性能优越于W型光纤的新型光纤结构。
关键词 光纤 色散 抛物线 模场 损耗
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电波传播与天线
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《电子科技文摘》 2001年第3期33-33,共1页
Y2000-62422-30 0103857由 SIMOX,体硅,耗尽型硅/硅片键合结构制成的传输线高频损耗=High frequency Losses in transmissionLines made on SIMOX,bulk silicon and depleted silicon/silicon structures formed by wafer bonding[会,英... Y2000-62422-30 0103857由 SIMOX,体硅,耗尽型硅/硅片键合结构制成的传输线高频损耗=High frequency Losses in transmissionLines made on SIMOX,bulk silicon and depleted silicon/silicon structures formed by wafer bonding[会,英]/Jo-hansson,M.& Bergh,M.//1999 IEEE InternationalSOI Conference Proceedings.—30~31(EC) 展开更多
关键词 电波传播 键合结构 高频损耗 传输线技术 短波天线 耗尽 体硅 硅片 相对论带电粒子 国防科技
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